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龙图腾网获悉广东长信精密设备有限公司申请的专利晶片校正装置以及晶片校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310068284.7，技术领域涉及：H10P72/78；该发明授权晶片校正装置以及晶片校正方法是由张庆;吴伟平设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片校正装置以及晶片校正方法在说明书摘要公布了：提供一种晶片校正装置以及晶片校正方法，晶片校正装置包括旋转台、下吸盘、XY轴移动平台、测量传感器、Z轴升降机构、上吸盘以及PLC系统。下吸盘用于吸附晶片，旋转台用于驱动下吸盘旋转，XY轴移动平台用于带动旋转台平移。测量传感器位于X轴上用于测量晶片旋转时外周轮廓的点进入测量传感器的感应区域内的距离。晶片校正方法包括：旋转第一周用于确定并校正旋转台第一旋转中心与晶片的圆心之间的X轴方向偏移距离ΔX，旋转第二周用于确定并校正旋转台第二旋转中心与晶片的圆心之间的Y轴方向上的偏移距离ΔY，旋转第三周验证ΔX和ΔY是否在允许误差范围内，基于校正后的晶片圆心，通过旋转确定V型缺口或直边的方位。

本发明授权晶片校正装置以及晶片校正方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片校正装置100，其特征在于，包括旋转台1、下吸盘2、XY轴移动平台3、测量传感器4、Z轴升降机构5、上吸盘6以及PLC系统7； 旋转台1具有旋转台中心，旋转台1能够实现围绕旋转台中心在XY轴平面上的旋转； 下吸盘2固定在旋转台1上，下吸盘2用于从下方吸附带有V形缺口200a或直边200b的晶片200； XY轴移动平台3固定连接于旋转台1，能够带动旋转台1沿X轴方向或Y轴方向平移； 测量传感器4在XY轴平面上位于XY轴移动平台3的X轴上，测量传感器4用于感测由下吸盘2从下方吸附的晶片200在随旋转台1在XY轴平面上旋转时晶片200的外周轮廓的点进入测量传感器4的感应区域内的距离； Z轴升降机构5位于旋转台1的上方，Z轴升降机构5能够在Z轴方向上升降； 上吸盘6固定在Z轴升降机构5，上吸盘6用于从上方吸附晶片200； PLC系统7通信连接于旋转台1、下吸盘2、XY轴移动平台3、测量传感器4、Z轴升降机构5以及上吸盘6，PLC系统7用于控制旋转台1的旋转并实时记录旋转台1旋转的角度； PLC系统7还用于： a在晶片200初始放置在下吸盘2后，旋转台1首次旋转的中心为第一旋转中心Q1'，旋转台1围绕第一旋转中心Q1'旋转第一周，确定第一旋转中心Q1'与晶片200的圆心Q2之间的X轴方向偏移距离ΔX； b旋转台1的第一旋转中心Q1'沿X轴朝向晶片200的圆心Q2移动X轴方向偏移距离ΔX，使旋转台1的第一旋转中心Q1'与晶片200的圆心Q2在X轴方向上的偏移距离ΔX为零，且旋转台1的中心从第一旋转中心Q1'改变到第二旋转中心Q1''； c旋转台1围绕第二旋转中心Q1''旋转第二周，确定旋转台1的第二旋转中心Q1''与晶片200的圆心Q2之间的Y轴方向偏移距离ΔY； d旋转台1的第二旋转中心Q1''沿Y轴朝向晶片200的圆心Q2移动Y轴方向偏移距离ΔY，使旋转台1的第二旋转中心Q1''与晶片200的圆心Q2在Y轴方向上的偏移距离ΔY为零，且旋转台1的中心从第二旋转中心Q1''改变到第三旋转中心Q1'''； e旋转台1围绕第三旋转中心Q1'''旋转第三周，PLC系统7操作来确认第三旋转中心Q1'''与晶片200的圆心Q2的ΔX和ΔY是否在允许误差范围内，即验证确定旋转台1的第三旋转中心Q1'''为晶片200的圆心Q2，如果超出允许误差范围则重复a-d； f旋转台1围绕第三旋转中心Q1'''再旋转来确定晶片200的V型缺口200a或直边200b； g基于确定的V型缺口200a或直边200b的角度使旋转台1旋转规定角度，以使晶片200的V型缺口200a或直边200b处于规定的晶向位置，处于规定的晶向位置的晶片200用于供搬运工具搬运到下一道倒角工序进行周缘磨边倒角。

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