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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学(深圳)高等研究院申请的专利一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116127879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310180326.6，技术领域涉及：G06F30/30；该发明授权一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法是由王卓;郭银;江逸洵;乔明;张波设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率集成电路技术领域，具体地说是涉及一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法。本发明的电路模型包括：场效应管；漏端电阻，一端与场效应管漏极相连且第二端作高压器件的漏极；源极电阻，一端连接到场效应管的源极且第二端作高压晶体管的源极；体二极管，通过阴极电阻与电感的并联网络与二极管阴极串联，其阳极连接到高压晶体管源极，阴极电阻另一端连接到高压器件漏极。第一电流源，一端连接到高压器件的漏极，另一端连接到高压器件的源极；仿真模型采用电压控制电阻值关系式来修正外接电阻的阻值，相比传统模型，本发明提出的电阻表达式物理意义明显，有效的提高了横向高压器件模型的仿真精度，同时具有更好的收敛性。

本发明授权一种横向高压器件等效电路模型的建立方法及仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种横向高压器件等效电路模型的建立方法，其特征在于，包括： 建立核心场效应晶体管，核心场效应晶体管的栅极作为横向高压器件的栅极； 建立第一电阻，第一电阻的一端连接核心场效应晶体管的漏极，第一电阻的另一端作为横向高压器件的漏极，设置第一电阻的电阻值与核心场效应晶体管上的漏源电压、栅源电压、温度、晶体管的宽度和元胞数目之间的函数关系为： Rdrift=maxrconst,rd0+rd1*Vds+rd2*Vdsrd2_satur*Vdsrd2_saturrd0_satur+rd1_satur*Vgs1+k1*Vgs*1+rd1_tem*∆T+rd2_tem*∆T2+rd3_tem*∆T3wmulti， 其中，rconst是横向高压器件的漏极与源极之间的压差较小时候的固定电阻，rd0是漏极电压为零时的第一电阻阻值，Vds为加在核心场效应晶体管漏极与源极之间的电压差的绝对值，Vgs为加在核心场效应晶体管栅源电压的绝对值，rd1、rd2、rd2_satur、rd0_satur、rd1_satur、k1是拟合参数，rd1_tem、rd2_tem、rd3_tem分别是第一电阻的一阶、二阶、三阶指数项的温度系数，∆T是系统温度，w是晶体管的宽度，multi是晶体管的元胞数目； 建立第二电阻，第二电阻的一端连接核心场效应晶体管的源极，第二电阻的另一端作为横向高压器件的源极，设置第二电阻阻值与核心场效应晶体管上的漏源电压、栅源电压、温度、晶体管的宽度和元胞数目之间的函数关系为： Rs=rs1+rs2*nf*Vgs-Vgs_ref*Vds*1+rsh1_tem*∆T+rsh2_tem*∆T2+rsh3_tem*∆T3wmulti， 其中，rs1是横向高压器件的漏极与源极之间的压差较小时候的固定电阻，rs2是当核心场效应晶体管的漏极-源极压差较大时候的一次项电压系数，nf是一次项电压拟合参数，Vgs_ref为栅源电压修正项，rsh1_tem、rsh2_tem、rsh3_tem分别是第二电阻的一阶、二阶、三阶指数项的温度系数； 建立体二极管正向模型，包括二极管、阴极电阻、阴极电感，其中，阴极电阻与电感并联后与二极管的阴极串联，二极管阳极与横向高压器件源极相连，阴极电阻的另一端和横向高压器件漏极相连； 建立体二极管反向恢复模型，将电流源的正极端连接到高压晶体管的源极，另一端连接到高压晶体管的漏极； 设置电流源的值Ir与阴极电阻上的电压VR关系为： Ir=K*VR， 其中，K为拟合系数。

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