杭州富芯半导体有限公司花蔚蔚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211355922.5，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法是由花蔚蔚;曾海设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种具备防止铜扩散阻挡层结构的半导体制造方法，包括：沉积介质层；对介质层进行刻蚀，以开出沟槽；于沟槽沉积第一扩散阻挡层；于第一扩散阻挡层上方形成铜金属层；对铜金属层进行研磨，使呈现碟型结构；以带负偏压的沉积方式在铜金属层表面沉积第二扩散阻挡层；以及对第二扩散阻挡层进行研磨。本申请通过在铜线工艺中以带负偏压的工艺形式沉积金属阻挡层并覆盖在化学研磨后裸露的铜金属表面，与侧边及底部对铜金属形成全包围结构，能够完全防止孔洞现象，故可有效抑制因孔洞问题而导致的铜扩散现象，从而防止后续工艺中出现铜污染，保证了产品良率和器件性能。
本发明授权一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具备防止铜扩散结构的半导体制造方法，其特征在于，包括： 沉积介质层； 对所述介质层进行刻蚀，以开出沟槽； 于所述沟槽沉积第一扩散阻挡层； 于所述第一扩散阻挡层上方形成铜金属层； 对所述铜金属层进行研磨，其中所述铜金属层于研磨后与所述介质层呈现非等高； 以带负偏压的沉积方式在所述铜金属层表面沉积第二扩散阻挡层；以及 对所述第二扩散阻挡层进行研磨，且与所述第一扩散阻挡层的侧面及底面对所述铜金属层形成全包围结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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