西安电子科技大学丁瑞雪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116155293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310034618.9,技术领域涉及:H03M1/66;该发明授权一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法是由丁瑞雪;郭霄;党力;刘术彬;朱樟明设计研发完成,并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法,包括:将正弦信号输入SARADC,获得SARADC输出的当前数字码;对当前数字码进行直方图分布统计;基于Ni检测当前数字码是否满足预设的单调性,并根据检测结果确定桥接DAC的LSB阵列中当前电容的校准电容的连接方式;从当前电容的所有校准电容中,确定待接入的校准电容;按照连接方式将待接入的校准电容接入桥接DAC后,返回将正弦信号输入SARADC的步骤,并逐步减小DAC的量化误差,使得INL和DNL满足误差要求。同时,本发明将LSB阵列周围填充的保护隔离电容作为校准电容,通过串联\并联校准电容的方式调整电容阵列的位电容比例,降低电容阵列整体的比例失配,减小电路的非线性误差。
本发明授权一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法在权利要求书中公布了:1.一种应用于电容桥接式DAC的前台模拟校准方法,其特征在于,包括: 将正弦信号输入逐次逼近寄存器模数转换器SARADC,获得SARADC输出的当前数字码; 对所述当前数字码进行直方图分布统计,将第i个当前数字码记为Douti并将第i个当前数字码的数量记为Ni,i=0~255; 基于Ni检测所述当前数字码是否满足预设的单调性,并根据检测结果确定桥接DAC的最低有效位LSB阵列中当前电容的校准电容的连接方式; 从所述当前电容的所有校准电容中,确定待接入的校准电容; 按照所述连接方式将待接入的校准电容接入所述桥接DAC后,返回所述将正弦信号输入SARADC的步骤,并将SARADC输出的数字码作为当前数字码,直至所述当前数字码满足预设的单调性时,校准结束; 基于Ni检测所述当前数字码是否满足预设的单调性,并根据检测结果确定桥接DAC的最低有效位LSB阵列中当前电容的校准电容的连接方式的步骤,包括: 令i=1,判断Ni-Ni-1<0是否成立;若Ni-Ni-1≥0,则将LSB阵列中当前电容对应的校准模块中的校准电容串联接入所述桥接DAC;反之,则进一步判断Ni+1-Ni≤0是否成立; 若Ni+1-Ni>0,则将LSB阵列中当前电容对应的校准模块中的校准电容并联接入所述桥接DAC;反之,则令i=i+1后,判断i<128是否成立; 若i<128,则返回所述判断Ni-Ni-1<0是否成立的步骤;反之,则进一步判断i=255是否成立; 若i<255,则判断Ni-Ni+1<0是否成立;当Ni-Ni+1<0不成立时,将LSB阵列中当前电容对应的校准模块中的校准电容串联接入所述桥接DAC,并返回所述令i=1,判断Ni-Ni-1<0是否成立的步骤;当Ni-Ni+1<0成立时,则进一步判断Ni-1-Ni≤0是否成立; 若Ni-1-Ni>0,则将LSB阵列中当前电容对应的校准模块中的校准电容并联接入所述桥接DAC,返回所述令i=1,判断Ni-Ni-1<0是否成立的步骤;反之,则令i=i+1后,返回所述判断i=255是否成立的步骤,直至i=255; 所述桥接DAC还包括最高有效位MSB阵列和桥接电容Ca,所述LSB阵列包括电容:Cdummy、Cdummy的前级电容C2、C2的前级电容C3以及C3的前级电容C4,所述MSB阵列包括电容:C5、C6、C7和C8;其中,Ca的第一极板与输出端Vout连接、第二极板与C4、C3、C2和Cdummy的第一极板连接,C4、C3、C2和Cdummy的第二极板与校准模块连接;C8、C7、C6和C5的第一极板与Ca的第一极板连接、第二极板与第一参考电平连接; 所述校准模块包括M个校准电容:CS1、CS2、CS3、……、CSM和N个校准开关:S0、S1、S2、……、SN;其中,当前电容的第一极板经S1连接至CS1的第一极板、第二极板经S0连接至CSM的第一极板和第二极板,CS1的第一极板与CS2的第一极板通过S3连接,第一节点N1位于S3靠近CS1的一侧,当前电容的第二极板与N1通过S2连接,第二节点N2位于S3远离CS1的一侧,当前电容的第二极板与N2通过S4连接,CSm的第一极板与CSm+1的第一极板通过Sn连接,CSm的第二极板与CSm+1的第二极板与CSm+1通过Sn+1连接;其中,m=2、3、……、M-1,n=2m+1; 从所述当前电容的所有校准电容中,确定待接入的校准电容的步骤,包括: 将Cdummy对应的校准模块中的第x个校准电容记为Cdx,将C2对应的校准模块中的第y个校准电容记为C2y,将C3对应的校准模块中的第z个校准电容记为C3z,将C4对应的校准模块中的第j个校准电容记为C4j,并令x=1,y=1,z=1,j=1; 判断x>M是否成立; 若x>M成立,则进一步判断y>M是否成立;反之,则将Cdx确定为待接入的校准电容并令x=x+1后,返回所述判断x>M是否成立的步骤; 若y>M成立,则进一步判断z>M是否成立;反之,则将C2y确定为待接入的校准电容,并在将前级电容Cdummy对应的校准模块中的校准开关全部复位后,令y=y+1、x=1,返回所述判断x>M是否成立的步骤; 若z>M成立,则进一步判断j>M是否成立;反之,则将C3z确定为待接入的校准电容,并在将Cdummy和C2对应的校准模块中的校准开关全部复位后,令z=z+1、x=1、y=1,返回所述判断x>M是否成立的步骤; 若j>M成立,则获得所有待接入的校准电容;反之,则将C4j确定为待接入的校准电容,并在将Cdummy、C2和C3对应的校准模块中的校准开关全部复位后,令j=j+1、x=1、y=1、z=1,返回所述判断x>M是否成立的步骤。
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