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龙图腾网获悉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司申请的专利一种钛升华器用陶封电极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116196648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149330.6，技术领域涉及：B01D7/00；该发明授权一种钛升华器用陶封电极结构是由张颖志;赵崇凌;袁方;佟雷设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钛升华器用陶封电极结构在说明书摘要公布了：本发明属于钛升华器领域，具体地说是一种钛升华器用陶封电极结构，包括导向管、密封法兰、盖帽、三根钛钼丝的导通极及一根公共极，三根钛钼丝的导通极及一根公共极沿盖帽的周向布置，并分别与盖帽固接，盖帽固接于密封法兰的内部，导向管与密封法兰的一侧固接；钛钼丝的导通极包括钛丝支杆、上封帽、陶瓷管及下封帽，陶瓷管的两侧分别与上、下封帽连接，下封帽固定在盖帽内，钛丝支杆由上封帽、陶瓷管及下封帽穿过，并与上封帽固接；公共极包括地级封帽及地级支杆，地级封帽固定在盖帽内，地级支杆由地级封帽穿过，并与地级封帽固接。本发明可以释放因钛钼丝发热引起的地级支杆和钛丝支杆变形，避免因钛升华器接头变形而与电源线缆产生接触不良。

本发明授权一种钛升华器用陶封电极结构在权利要求书中公布了：1.一种钛升华器用陶封电极结构，其特征在于：包括导向管1、密封法兰2、盖帽7、三根钛钼丝的导通极及一根公共极，其中三根钛钼丝的导通极及一根公共极沿盖帽7的周向布置，并分别与所述盖帽7固接，所述盖帽7固接于密封法兰2的内部，所述导向管1与密封法兰2的一侧固接；所述钛钼丝的导通极包括钛丝支杆3、上封帽9、陶瓷管8及下封帽6，所述陶瓷管8的两侧分别与上封帽9及下封帽6连接，所述下封帽6固定在盖帽7内，所述钛丝支杆3由上封帽9、陶瓷管8及下封帽6穿过，并与所述上封帽9固接；所述公共极包括地级封帽5及地级支杆4，所述地级封帽5固定在盖帽7内，所述地级支杆4由地级封帽5穿过，并与所述地级封帽5固接；所述地级支杆4及各钛丝支杆3的一端位于密封法兰2的一侧，所述地级支杆4及各钛丝支杆3的另一端插设于位于密封法兰2另一侧的导向管1内； 所述上封帽9、下封帽6、地级封帽5及盖帽7均为薄壁结构，所述上封帽9的壁厚为0.2～0.4mm，所述下封帽6的壁厚为0.2～0.4mm，所述地级封帽5的壁厚为0.2～0.4mm，所述盖帽7的壁厚为0.4～0.8mm。

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