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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116205067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310177654.0，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法是由曹永娟;李康;冯亮亮;毛瑞;顾迪;张伟设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法，其主要包括确定求解坐标系、针对气隙和Halbach阵列永磁体不同求解区域对电机分别建立泊松方程与拉普拉斯方程，在求得拉普拉斯通解基础上，依据空载磁场解析模型应满足的边界条件，对静态轴向气隙磁密与周向气隙磁密进行求解。在电机运行过程中，对Halbach阵列永磁体磁动势进行计算；电机通入三相对称正弦电流时，分别计算单相绕组所产生的磁动势与三相绕组所产生的磁动势；在考虑气隙磁导率的情况下，推导计算电机轴向气隙磁场分布公式。在忽略气隙磁场饱和的情况下，根据麦克斯韦张量方程，计算作用在轴向磁场永磁记忆电机单位面积上的轴向电磁力。

本发明授权一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法在权利要求书中公布了：1.一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、根据实际电机模型，确定求解坐标系，针对气隙和Halbach阵列永磁体不同求解区域对电机分别建立泊松方程与拉普拉斯方程； S2、在求得拉普拉斯方程通解的基础上，依据空载磁场解析模型应满足的边界条件对静态轴向气隙磁密与周向气隙磁密进行求解； S3、在电机运行过程中，计算电机Halbach阵列永磁体磁动势；电机通入三相对称正弦电流时，分别计算单相绕组所产生的磁动势与三相绕组所产生的磁动势； S4、根据气隙磁导率，计算电机轴向气隙磁场分布，得到轴向磁场永磁记忆电机气隙磁场表达式； S5、根据麦克斯韦张量方程，计算作用在单位气隙面积上的轴向电磁力，对计算得出的每一项电磁力波分别计算时间和空间谐波； 所述步骤S1具体包括： 根据电机外观与尺寸要求，建立二维直角坐标系；根据二维直角坐标系，设Halbach阵列永磁体中轴向充磁函数为偶函数，轴向充磁函数为奇函数；轴向磁场永磁记忆电机Halbach阵列永磁体的充磁函数公式表达为： ； 式中，，表示周向充磁函数傅里叶级数的系数；，表示轴向充磁函数傅里叶级数的系数；p为电机极对数；r为电机半径；表示充磁奇函数，且n=1,3,5…； Halbach阵列的轴向充磁系数公式表达如下： ； 式中，表示轴向充磁永磁体的宽度；表示极距；p为电机极对数；r为电机半径； 永磁体内部的磁通密度和气隙处磁通密度公式表示为： ； ； 式中，Br为永磁体剩磁；为永磁体的相对磁导率；为真空磁导率；H1、H2分别为各个区域的磁场强度； Halbach阵列永磁体区域，即泊松方程公式表达如下： 式中，为永磁体区域磁通；为永磁体的相对磁导率；x和y分别是x轴和y轴的坐标；为充磁函数M的散度； 轴向磁场记忆电机气隙区域，即拉普拉斯方程公式表达如下： 式中，为气隙域磁通；x和y分别是x轴和y轴的坐标。

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