格科半导体(上海)有限公司赵立新获国家专利权
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龙图腾网获悉格科半导体(上海)有限公司申请的专利提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446637.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构是由赵立新;胡杏;邹文;杨瑞坤设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，通过刻蚀所述晶圆的半导体衬底形成沟槽，再通过外延工艺于所述沟槽表面形成至少一层外延层，使所述沟槽开口闭合，形成中空间隙结构，从而在半导体衬底中预埋有中空间隙结构，所述中空间隙结构位于后续形成于所述晶圆上的相邻半导体芯片之间的切割道中，切割所述晶圆时，与切口对应设置的中空间隙结构引导所述晶圆沿着所述中空间隙结构裂开，围绕半导体芯片设置的中空间隙结构阻止所述晶圆的裂纹延伸进入半导体芯片内部，从而改善晶圆切割性能，减少切割缺陷，兼容现有FSI及BSI图像传感器芯片的工艺流程，在兼顾成本的情况下，大大提高切割良率。
本发明授权提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构在权利要求书中公布了：1.一种提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，包括： 所述晶圆包括半导体衬底； 根据预设的光刻图形，刻蚀所述半导体衬底形成多个第三沟槽； 在所述第三沟槽表面形成介质层，以保护所述第三沟槽的侧壁； 继续刻蚀所述第三沟槽底部使所述第三沟槽加深，形成多个第一沟槽； 通过侧向刻蚀，使若干所述第一沟槽的底部相互连通，形成第二沟槽； 通过至少一次外延工艺形成至少一层外延层，使所述第一沟槽顶部封闭，在所述第二沟槽中形成空腔，从而在所述半导体衬底中预埋有中空间隙结构； 于所述晶圆上形成多个半导体芯片，所述中空间隙结构位于相邻半导体芯片之间的切割道中。
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