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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111480983.X，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法是由艾治州;张小辛;王东升;郑晨焱设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种终端保护结构及其制备方法，及一种高压功率器件。终端保护结构包括：第一导电类型的衬底、绝缘层、金属场板及保护层；衬底内形成有两个以上间隔设置的重掺杂的第二导电类型的终端环，绝缘层位于衬底表面，金属场板一端贯穿绝缘层直至与位于最外侧的两个终端环一一对应相连接，另一端相向延伸到绝缘层的上方，各金属场板相互绝缘；保护层位于绝缘层及金属场板上。本发明提供的用于高压功率器件的终端保护结构的制备方法，至多仅需采用四个光刻板进行四次光刻刻蚀，相较于现有技术中至少需采用六个光刻板进行六次光刻刻蚀，本发明可以大大简化工艺步骤，有助于降低器件制备成本和提高工艺良率。

本发明授权用于高压功率器件的终端保护结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高压功率器件的终端保护结构的制备方法，其特征在于，所述高压功率器件为3000V以上的特高压功率器件，包括步骤： 提供第一导电类型的衬底，于所述衬底上形成第一绝缘层； 在第一光刻板的作用对所述第一绝缘层进行光刻刻蚀，以于所述第一绝缘层中形成两个以上间隔设置的第一通孔，所述第一通孔显露出所述衬底； 对对应所述第一通孔下方的所述衬底进行离子注入及退火，以于所述衬底内对应形成两个以上间隔设置的重掺杂的第二导电类型的终端环，所述终端环的横向尺寸为20μm-60μm，当终端环为2个时，两个终端环的间距为100μm-200μm；当终端环的数量大于2个时，位于最外侧的相邻的两个终端环的间距为100μm-200μm，其他相邻两个终端环的间距为10μm-50μm； 形成金属场板，各所述金属场板一端与最外侧相邻的两个终端环一一对应相连接，另一端相向延伸到所述第一绝缘层的上方，各金属场板相互绝缘，相邻的金属场板在横向上的最小间距为100μm-300μm； 形成保护层，所述保护层位于所述金属场板及第一绝缘层上。

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