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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111491428.7，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管是由王卫国;仓怀文;黄卫;张远智;李海洋设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管在说明书摘要公布了：本发明涉及分析仪器中的一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管，包括绝缘内筒，BN离子门，和法拉第盘；BN离子门将绝缘内筒分为两个区域电离反应区和迁移区；于迁移区靠近法拉底盘处设有漂气入口，于电离反应区远离BN离子门一侧设有气体出口、靠近BN离子门一侧设有样品入口；于BN离子门上开门时施加的电势U1，电离反应区电场强度为E1，迁移区电场强度为E2；于电离反应区内、距离离子迁移管轴线方向的距离BN离子门为L1的位置设有垂直于离子迁移管轴线方向的金属栅网作为脉冲离子注入栅网；于脉冲离子注入栅网上施加的电势为U1+El×L1+P1，于迁移区内、距离离子迁移管轴线方向的距离BN离子门为L2的位置设有垂直于离子迁移管轴线方向的脉冲压缩金属栅网；脉冲压缩金属栅网上施加的电势为U1‑E2×L2+P2。

本发明授权一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管在权利要求书中公布了：1.一种多脉冲场离子注入压缩离子迁移管，其特征在于： 包括绝缘内筒11，BN离子门1，法拉第盘6；BN离子门1将绝缘内筒11分为两个区域电离反应区和迁移区；于迁移区靠近法拉底盘6处设有漂气入口7，于电离反应区远离BN离子门1一侧设有气体出口9、靠近BN离子门1一侧设有样品入口8； 于BN离子门1上开门时施加的电势U1，电离反应区电场强度为E1，迁移区电场强度为E2； 于电离反应区内、距离离子迁移管轴线方向的距离BN离子门1为L1的位置设有垂直于离子迁移管轴线方向的金属栅网作为脉冲离子注入栅网2；于脉冲离子注入栅网上施加的电势为U1+El×L1+P1，Pl为脉冲离子注入栅网所需施加的脉冲方波电压；El单位为Vcm，L1单位为cm，U1和P1的单位为V； 于迁移区内、距离离子迁移管轴线方向的距离BN离子门1为L2的位置设有垂直于离子迁移管轴线方向的脉冲压缩金属栅网3；脉冲压缩金属栅网3上施加的电势为U1-E2×L2+P2，P2为脉冲压缩金属栅网所需施加的脉冲方波电压，E2单位为Vcm，L2单位为cm，U1和P2的单位为V。

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