SKC索密思株式会社李亨周获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉SKC索密思株式会社申请的专利空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556081.4，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法是由李亨周;金圭勋;李乾坤;金星润;崔石荣;金修衒;孙晟熏;郑珉交;申仁均设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法。根据本实施方式的空白掩模包括透光基板和设置在所述透光基板上的遮光膜。遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层。第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者。遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20％且小于等于40％。第二遮光层的硬度大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa。在这种情况下，在对遮光膜的表面进行高灵敏度缺陷检测时，可以提高缺陷检测的准确性，并且可以有效抑制图案化过程中的颗粒的产生。
本发明授权空白掩模、光掩模和半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种空白掩模，其中，包括： 透光基板，以及 遮光膜，设置在所述透光基板上； 所述遮光膜包括第一遮光层和设置在所述第一遮光层上的第二遮光层， 所述第二遮光层包括过渡金属、氧和氮中的至少一者， 所述遮光膜的表面对波长为193nm的光的反射率大于等于20%且小于等于40%， 所述第二遮光层的硬度值大于等于0.3kPa且小于等于0.55kPa， 所述第二遮光层的硬度值为所述第一遮光层的硬度值的0.15倍以上且0.55倍以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人SKC索密思株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励