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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111518986.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构是由乐双申;何增谊;张立波;吴兴敏;袁晴雯设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构，通过在源极多晶硅淀积到栅极多晶硅氧化这段工艺之间采用增加以下步骤：刻蚀去除位于元胞区沟槽中上部空间及半导体材料层表面的第一氧化层，第二氧化层及沟槽之间部分半导体材料层；刻蚀去除栅极多晶硅直到源极引出区沟槽内剩余栅极多晶硅厚度到达预设厚度；选择性刻蚀去除位于源极引出区沟槽中剩余栅极多晶硅直到源极引出区沟槽中无栅极多晶硅残留，随后去除光刻胶，本申请实施例通过刻蚀去除栅极多晶硅直到源极引出区沟槽中的栅极多晶硅刻蚀完全，可以避免源极引出区栅极多晶硅在源极引出区沟槽侧壁残留的问题，避免栅极源极短路的风险，提高良率和可靠性。

本发明授权一种屏蔽栅半导体器件结构制备方法及屏蔽栅半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅半导体器件制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在元胞区沟槽和源极引出区沟槽内表面分别从外到内依次形成第二氧化层和第一氧化层； 在元胞区沟槽和源极引出区沟槽中第二氧化层包围形成的空间分别沉积源极多晶硅； 刻蚀去除半导体材料层表面的源极多晶硅并选择性刻蚀去除位于元胞区沟槽上部空间的部分源极多晶硅； 刻蚀去除半导体材料层表面，元胞区沟槽和源极引出区沟槽中的第一氧化层和第二氧化层； 刻蚀去除沟槽之间的半导体材料层，元胞区沟槽及源极引出区沟槽中部分源极多晶硅； 在半导体材料层上表面，元胞区沟槽裸露表面，源极引出区沟槽裸露表面，源极多晶硅裸露表面分别形成第三氧化层，随后去除第三氧化层； 在半导体材料层上表面，元胞区沟槽裸露表面，源极引出区沟槽裸露表面，源极多晶硅裸露表面分别形成第四氧化层； 在元胞区沟槽和源极引出区沟槽中沉积栅极多晶硅； 刻蚀去除半导体材料层表面的栅极多晶硅，并选择性刻蚀去除位于源极引出区沟槽中栅极多晶硅直到源极引出区沟槽中无栅极多晶硅残留。

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