绍兴中芯集成电路制造股份有限公司柴梦莹获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166915.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由柴梦莹;袁家贵;丛茂杰设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，形成从衬底的第一表面延伸至衬底内部的沟槽，在沟槽的底部和部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在沟槽中形成有屏蔽栅，屏蔽栅填充部分深度的沟槽，屏蔽栅的顶面高于屏蔽介质层的顶面，屏蔽介质层的顶面到第一表面的距离为第一深度；刻蚀去除部分屏蔽栅，以使屏蔽栅的顶面和屏蔽介质层的顶面齐平，并自第一表面刻蚀去除预定厚度的衬底，以使屏蔽介质层的顶面到第一表面的距离为第二深度，第一深度大于第二深度；在沟槽中形成栅间介电层和控制栅结构。本发明的方法通过在刻蚀屏蔽栅的同时刻蚀预定厚度的衬底，从而有效降低高密度等离子体填充深宽比，进而增大填充窗口、改善填充效果。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，形成从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底内部的沟槽，在所述沟槽的底部和部分侧壁形成有屏蔽介质层，并在所述沟槽中形成有屏蔽栅，所述屏蔽栅填充部分深度的所述沟槽，所述屏蔽栅的顶面高于所述屏蔽介质层的顶面，所述屏蔽介质层的顶面到所述第一表面的距离为第一深度； 刻蚀去除部分所述屏蔽栅，以使所述屏蔽栅的顶面和所述屏蔽介质层的顶面齐平，同时自所述第一表面刻蚀去除预定厚度的所述衬底，以使所述屏蔽介质层的顶面到所述第一表面的距离为第二深度，所述第一深度大于所述第二深度； 在所述沟槽中沉积形成栅间介电层，并在所述沟槽位于所述栅间介电层上的部分形成控制栅结构； 其中，所述在所述沟槽中沉积形成栅间介电层，包括：采取高密度等离子体沉积工艺在所述沟槽内和所述衬底的第一表面沉积栅间介电材料层。
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