北京师范大学王兆娜获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学申请的专利一种梯度界面态增强的自供能光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310412313.7，技术领域涉及：H10F77/123；该发明授权一种梯度界面态增强的自供能光电探测器是由王兆娜;朱蒙设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种梯度界面态增强的自供能光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种梯度界面态的实现方法和一种梯度界面态增强的自供能光电探测器，包括p‑Si基底，梯度界面态分布的n型氧化物半导体薄膜和导电电极；所述的梯度界面态分布通过同时施加偏置电压和紫外光辐照的方法获得，获得的带负电的界面态浓度沿p‑n结界面向顶部电极方向增大，减小了界面转移电阻，获得了增强的p‑n结等效内建电场，进而降低界面处载流子的复合几率，提升了热释电光电子学效应，提高了光生载流子的瞬态输运效率。所述的梯度界面态产生方法具有灵活、容易实现的特点；所述的梯度界面态增强的自供能光电探测器的响应度和探测能力相较于均匀界面态分布提升显著，并且增强效果具有在紫外‑可见‑近红外光区普遍适用的特点，可广泛应用于热成像、环境监测、智能农业、生物医学、导弹制导和空间通讯等民用和军事领域。
本发明授权一种梯度界面态增强的自供能光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种梯度界面态增强的自供能光电探测器，其特征在于：该光电探测器包括p-Si基底1.1，梯度界面态分布的n型氧化物半导体ZnO薄膜1.2、n型氧化物半导体ZnO薄膜端顶部电极1.3和p-Si底部电极1.4；所述的p-Si与梯度界面态分布的n型氧化物半导体ZnO薄膜形成p-n异质结；所述的梯度界面态分布的n型氧化物半导体ZnO薄膜是在n型氧化物半导体ZnO薄膜中，通过在顶部电极和底部电极之间施加0.3-1.6V的偏压，同时在顶部引入紫外光辐照实现的；所述的梯度界面态分布是界面态浓度沿p-n结界面向顶部电极方向增大；所述的梯度界面态分布能够减小界面转移电阻，获得增强的结区等效内建电场，进而降低界面处载流子的复合几率和提升热释电光电子学效应。
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