南京邮电大学刘启发获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116316063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310127773.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法是由刘启发;李皖晴设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法，结构包括：衬底层、底层GaN层、多孔GaN层、AlGaN‑n层、n电极、GaNInGaN成对组成的多层量子阱有源层、AlGaN‑p阻挡层、GaN‑p层、p电极和光子晶体层。本发明提出利用折射率低及可控的多孔GaN作为包覆层，结合表面刻蚀型光子晶体结构，和优化的层结构设计，能够实现有源层与表面光子晶体层同时具有较高的谐振光场耦合强度，利于实现低阈值、高效、高性能的光激射，从而实现一种新型的GaN‑PCSEL。
本发明授权一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基光子晶体面发射蓝光激光器，其特征在于，包括： 衬底层； 底层GaN层，位于衬底层之上； 多孔GaN层，位于底层GaN之上； AlGaN-n层，位于多孔GaN层之上； 量子阱有源层，位于AlGaN-n层之上； AlGaN-p阻挡层，位于量子阱有源层之上； GaN-p层，位于AlGaN-p阻挡层之上； GaN-p层表面刻蚀一定深度的周期性孔洞的光子晶体层； 多孔GaN层的折射率小于其他底层GaN层、AlGaN-n层、量子阱有源层、AlGaN-p阻挡层、GaN-p层的折射率； p电极，位于GaN-p层的表面； n电极，位于AlGaN-n层的表面； 从GaN-p层由上至下刻蚀至AlGaN-n层形成方形的p型岛，所述多孔GaN层厚度为500~10000nm，其折射率为1.6~2.2，所述GaN-p层厚度为50~500nm，折射率为2.4~2.49。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京邮电大学，其通讯地址为：210000 江苏省南京市栖霞区文苑路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励