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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种NBTI老化效应的评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116384050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310120298.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种NBTI老化效应的评估方法是由李聪;吕松松;董啸宇;成善霖设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NBTI老化效应的评估方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种NBTI老化效应的评估方法，包括：第一预设时间段内采用恢复时间动力学模型评估MOS器件的NBTI老化效应，得到第一预设时间段内各单位时刻的恢复阶段的阈值电压漂移；在第二预设时间段内采用可恢复性缺陷退化模型和准永久性缺陷退化模型评估该器件的该效应，得到第二预设时间段内每个单位时刻的应力阶段的阈值电压漂移；根据阈值电压漂移得到评估结果；上述模型根据第一阈值电压测量结果和第二阈值电压测量结果得到；第一阈值电压测量结果是在第一预设温度下对第一MOS器件施加不同栅极电压时测量出的阈值电压；第二阈值电压测量结果是在第二预设温度下对第二MOS器件施加不同栅极电压时测出的阈值电压。

本发明授权一种NBTI老化效应的评估方法在权利要求书中公布了：1.一种NBTI老化效应的评估方法，其特征在于，包括： 在第一预设时间段内采用恢复时间动力学模型，对待评估MOS器件的NBTI老化效应评估，得到所述第一预设时间段内每个单位时刻的恢复阶段的阈值电压漂移； 在第二预设时间段内分别采用可恢复性缺陷退化模型和准永久性缺陷退化模型，对所述待评估MOS器件的NBTI老化效应评估，得到所述第二预设时间段内每个单位时刻的应力阶段的阈值电压漂移； 根据所述阈值电压漂移，得到所述待评估MOS器件的评估结果；所述恢复时间动力学模型、所述可恢复性缺陷退化模型和所述准永久性缺陷退化模型是根据第一MOS器件的第一阈值电压测量结果和第二MOS器件的第二阈值电压测量结果得到的模型；所述第一阈值电压测量结果是在第一预设温度下，对所述第一MOS器件施加不同栅极电压的第一时间段内，测量出的第一MOS器件的阈值电压；所述第二阈值电压测量结果是在第二预设温度下，对所述第二MOS器件施加不同栅极电压的第二时间段内，测量出的第二MOS器件的阈值电压。

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