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龙图腾网获悉清华大学深圳国际研究生院申请的专利一种离子注入剂量测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310488061.6，技术领域涉及：G01T1/02；该发明授权一种离子注入剂量测量方法是由崔伟胜;张若兵设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子注入剂量测量方法在说明书摘要公布了：一种离子注入剂量测量方法，用于在离子注入装置对被处理物完成离子注入后的离子注入剂量的测量，该装置包括交流高压电极、直流负电压电极以及多孔地电极，被处理物放置在直流负电压电极朝向多孔地电极设置的阻挡介质上；测量方法包括：获取在直流负电压电极上施加的电压值，以及直流负电压电极与被处理物离子注入后上表面电荷层之间的电容值；根据电压值和电容值计算注入被处理物的电荷量；根据电荷量确定离子注入剂量。本发明通过离子注入前后的系统稳态参数计算离子注入剂量，无需测量离子注入过程中的暂态参数，解决了传统离子注入测量方法需对注入电流实时高精度检测，技术要求难度大、成本高的问题，可极大降低离子注入技术的应用成本。

本发明授权一种离子注入剂量测量方法在权利要求书中公布了：1.一种离子注入剂量测量方法，用于在离子注入装置对被处理物完成离子注入后的离子注入剂量的测量，所述离子注入装置包括交流高压电极、直流负电压电极以及位于所述交流高压电极与所述直流负电压电极之间的多孔地电极，在所述交流高压电极和所述多孔地电极之间为等离子体生成区，在所述多孔地电极和所述直流负电压电极之间为离子注入区，所述直流负电压电极朝向所述多孔地电极的一面设置有阻挡介质，被处理物放置在所述阻挡介质上； 其特征在于，所述测量方法包括如下步骤： 获取在所述直流负电压电极上施加的直流负电压值，以及所述直流负电压电极与所述被处理物离子注入后上表面电荷层之间的电容值； 根据所述直流负电压值和所述电容值计算注入所述被处理物的电荷量； 根据注入所述被处理物的电荷量确定所述离子注入剂量； 其中，施加直流负电压直到电场平衡后再进行离子注入剂量的测量，获取所述电容值时，系统处于无电流的稳态；所述测量方法通过离子注入前和离子注入后的系统稳态参数来测量离子注入剂量，而无需测量离子注入过程中的各种暂态参数。

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