国网浙江省电力有限公司信息通信分公司梅峰获国家专利权
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龙图腾网获悉国网浙江省电力有限公司信息通信分公司申请的专利高集成度低损耗的光子卷积计算单元及光子卷积计算芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310372760.4，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权高集成度低损耗的光子卷积计算单元及光子卷积计算芯片是由梅峰;祝连庆;王一豪;鹿利单;卢文达;赖晓翰设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本高集成度低损耗的光子卷积计算单元及光子卷积计算芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高集成度低损耗的光子卷积计算单元，包括：衬底，以及在衬底上沉积的包覆层；在所述包覆层内沉积侧波导和光子晶体纳米梁；其中，在所述侧波导与所述光子晶体纳米梁的耦合区域，所述侧波导偏离所述光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部，使所述侧波导形成T型波导。本发明在侧波导与光子晶体纳米梁耦合区域，侧波导偏离光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部，使侧波导形成T型波导提供离散态，从而实现Fano共振线形谱线，可以有效降低光子卷积计算芯片的损耗，实现低损耗卷积池。
本发明授权高集成度低损耗的光子卷积计算单元及光子卷积计算芯片在权利要求书中公布了：1.一种高集成度低损耗的光子卷积计算单元，其特征在于，所述光子卷积计算单元包括：衬底，以及在衬底上沉积的包覆层；在所述包覆层内沉积侧波导和光子晶体纳米梁； 其中，在所述侧波导与所述光子晶体纳米梁的耦合区域，所述侧波导偏离所述光子晶体纳米梁的一侧沉积一凸出部，使所述侧波导形成T型波导。
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