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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116614168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310349511.3，技术领域涉及：H04B7/185；该发明授权一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元是由任辉政;王子青;卢东旭;司子恒;刘会东;许春良设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元在说明书摘要公布了：本申请适用于硅基射频与毫米波集成电路技术领域，提供了一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元，包括：退耦电容模块、主控模块和分布式卫星模块；退耦电容模块正极和主控模块的电源引脚均与数控单元的电源引脚连接，退耦电容模块负极和主控模块的接地引脚均与数控单元的接地引脚连接；分布式卫星模块包括第一卫星子模块、第二卫星子模块、第三卫星子模块和第四卫星子模块，第一卫星子模块与主控模块的连接方式、第二卫星子模块与主控模块的连接方式、第三卫星子模块与主控模块的连接方式和第四卫星子模块与主控模块的连接方式相同。本申请的数控单元具备适用于各种微波波段的带宽通用性和适用于各种半导体制造工艺的通用性。

本发明授权一种卫星分布式构型的数控单元、微波单片及天线单元在权利要求书中公布了：1.一种卫星分布式构型的数控单元，包括：退耦电容模块、主控模块和分布式卫星模块； 所述退耦电容模块正极与所述数控单元的电源引脚连接，所述退耦电容模块负极与所述数控单元的接地引脚连接； 所述主控模块的电源引脚与所述数控单元的电源引脚连接，所述主控模块的接地引脚与所述数控单元的接地引脚连接，所述主控模块采用时钟上升沿采样串行数据且高位数据先传输的数据输入方式，所述主控模块采用时钟下降沿输出串行数据且高位数据先传输的数据输出方式，所述主控模块与所述分布式卫星模块连接； 所述分布式卫星模块包括第一卫星子模块、第二卫星子模块、第三卫星子模块和第四卫星子模块，所述第一卫星子模块的电源引脚与所述数控单元的电源引脚连接，所述第一卫星子模块的接地引脚与所述数控单元的接地引脚连接，所述第二卫星子模块的电源引脚与所述数控单元的电源引脚连接，所述第二卫星子模块的接地引脚与所述数控单元的接地引脚连接，所述第三卫星子模块的电源引脚与所述数控单元的电源引脚连接，所述第三卫星子模块的接地引脚与所述数控单元的接地引脚连接，所述第四卫星子模块的电源引脚与所述数控单元的电源引脚连接，所述第四卫星子模块的接地引脚与所述数控单元的接地引脚连接； 所述数控单元每次接收一帧串行数据时，所述主控模块、所述第一卫星子模块、所述第二卫星子模块、所述第三卫星子模块和所述第四卫星子模块同步接收这帧串行数据；所述数控单元每次接收一帧串行数据时，都有对应的读反馈或写反馈；所述数控单元每次接收一帧串行数据时，至少且只对所述主控模块或者所述第一卫星子模块或者所述第二卫星子模块或者所述第三卫星子模块或者所述第四卫星子模块中的一个模块进行读操作或者写操作； 所述第一卫星子模块与所述主控模块的连接方式、所述第二卫星子模块与所述主控模块的连接方式、所述第三卫星子模块与所述主控模块的连接方式和所述第四卫星子模块与所述主控模块的连接方式相同； 所述退耦电容模块为CMOS电路，所述退耦电容模块包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管为P沟道场效应晶体管，所述第二场效应晶体管为N沟道场效应晶体管； 所述第一场效应晶体管的源极和衬底为所述退耦电容模块正极，所述第一场效应晶体管的栅极与所述第二场效应晶体管的漏极连接；所述第二场效应晶体管的源极和衬底为所述退耦电容模块负极，所述第二场效应晶体管的栅极与所述第一场效应晶体管的漏极连接； 退耦电容模块的等效电容值通过以下公式计算得到： 其中，i为退耦电容模块两端施加的小信号的电流，v为退耦电容模块两端施加的小信号的电压，f为退耦电容模块两端施加的小信号的频率； 退耦电容模块中P沟道场效应晶体管的栅的宽和长分别是1.5um和4um，N沟道场效应晶体管的栅的宽和长分别是1.5um、2.5um。

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