广东先导微电子科技有限公司郑金龙获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利锗晶片的退火工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116641141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310544001.1，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权锗晶片的退火工艺是由郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本锗晶片的退火工艺在说明书摘要公布了：本发明属于热处理技术领域，公开了锗晶片的退火工艺。将锗晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；将石英管密封后抽真空至预设真空度；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至630~700℃保温一段时间；升温的速率为1.0‑1.2℃min；保温结束后，降温；降温的速率为1.0‑1.2℃min。通过退火温度、升温速率和降温速率的有效调控，退火后，锗晶片的内部缺陷极大程度的降低。
本发明授权锗晶片的退火工艺在权利要求书中公布了：1.一种厚度为280-320μm的锗晶片的退火工艺，其特征在于，包括以下步骤： 将锗晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内； 将石英管密封后抽真空至预设真空度以下； 将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至630~700℃保温2~6h；升温的速率为1.0-1.2℃min； 保温结束后，降温；降温的速率为1.0-1.2℃min。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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