环球晶圆股份有限公司P·瓦尔科齐纳获国家专利权
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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116648533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107738.1，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法是由P·瓦尔科齐纳;M·波里尼;J·杜基尼设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法在说明书摘要公布了：公开用于制备用于外延生长的单晶硅衬底的方法。所述方法可涉及在锭片段的生长期间控制i生长速度v及或ii轴向温度梯度G，使得vG小于临界vG及或小于取决于所述锭的硼浓度的vG值。还公开用于制备外延晶片的方法。
本发明授权具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法及外延晶片的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种具有减量致外延缺陷的原生核的硅衬底的形成方法，所述硅衬底进行硼掺杂，所述方法包括： 将多晶硅的初始装料添加到坩埚； 加热包括多晶硅的所述初始装料的所述坩埚以引起硅熔融物形成于所述坩埚中； 将硼添加到所述坩埚以产生经掺杂硅熔融物； 使硅种晶与所述经掺杂硅熔融物接触； 抽出所述硅种晶以生长单晶硅锭，所述锭具有恒定直径部分，所述恒定直径部分具有长度D，其中片段是所述锭的所述恒定直径部分的一部分，所述片段具有从2.8x1018个原子cm3到5.4x1018个原子cm3的硼浓度，所述片段具有至少0.5*D的长度； 在所述片段的生长期间控制i生长速度v及或ii轴向温度梯度G，使得vG小于0.20mm2分钟*K；及 将所述片段从其凝固温度冷却到950℃或更小，其中所述片段处于从1150℃到950℃的温度范围内的停留时间小于160分钟。
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