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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116759023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310617549.4，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法是由杨炯;高梦含设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法。计算主要基于MatHub‑3d数据库。数据库中共有274种半哈斯勒材料，首先对这274种材料进行结构优化，然后计算电子结构和声子谱，筛选得到109种声子谱没有虚频且带隙大于0.1eV的稳定半导体结构。然后应用Allen‑Heine‑CardonaAHC理论，计算得到0‑1000K共11个温度下的电子结构。本发明方法通过高通量计算，能够提高效率，达到快速计算得到目标材料体系的目的，有利于为光电、热电材料的设计提供理论参考。

本发明授权一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种高通量计算半哈斯勒材料不同温度电子结构的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 1利用VASP软件通过高通量计算方法对数据库中274种半哈斯勒材料进行结构优化得到平衡晶格常数； 2利用优化后的晶体结构进行声子谱计算； 3利用优化后的晶体结构进行自洽计算，获得体系的电荷密度； 4利用所述电荷密度进行能带结构的计算； 5从步骤2和步骤4得到的结果中，筛选出109种声子谱没有虚频且带隙大于0.1eV的稳定结构； 6利用Abinit软件通过高通量计算方法对所述109种稳定结构进行电声耦合重整化计算，得到0-1000K共11个温度下的电子结构； 所述步骤6中计算不同温度电子结构主要依据Allen-Heine-CardonaAHC理论，即电子-声子相互作用被微扰处理，由两个表示核位移中二阶泰勒展开的项组成，称为Fan-MigdalFan和Debye-WallerDW自能项，计算中截断能为35Hatree，采用的k网格为6×6×6，q网格为10×10×10，温度设置为0-1000K，以100K为间隔，计算公式如下所示： Σe-phω,T＝ΣFMω,T+ΣDWT1 其中fmk+qεF，T是温度T下的费米-狄拉克分布函数，nqvT是温度T下的玻色-爱因斯坦分布，εF是费米能级，积分在体积布里渊区ΩBZ的q点上进行，η是一个正实无穷小量。

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