福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116867267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310037013.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由童宇诚;张钦福设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、电容结构、支撑结构、以及辅助层。电容结构设置在衬底上，并包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层。支撑结构设置在相邻的柱状底电极之间，并包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层。辅助层仅夹设在各柱状底电极与支撑结构之间，并直接接触第一支撑层、第二支撑层与柱状底电极的侧壁。如此，通过辅助层的设置强化柱状底电极与支撑结构之间的黏着性，并提供应力缓冲，进而获得更为稳定而可靠的结构，并达到相对优化的器件效能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于包括： 衬底； 电容结构，设置在所述衬底上，所述电容结构包括多个柱状底电极、电容电介质层、以及顶电极层； 电介质层，设置在所述衬底上； 多个存储节点焊盘，相互分隔地设置在所述电介质层内，并分别接触各所述柱状底电极； 绝缘层，设置在所述存储节点焊盘上，所述绝缘层覆盖并直接接触所述电介质层的表面以及所述存储节点焊盘的部分表面，部分的所述电容电介质层夹设在所述绝缘层与各所述柱状底电极之间，所述电容电介质层直接接触所述绝缘层的顶部和侧壁，且所述电容电介质层与所述存储节点焊盘直接接触； 支撑结构，设置在相邻的所述柱状底电极之间，所述支撑结构包括由下而上依序设置的第一支撑层与第二支撑层；以及 辅助层，仅夹设在各所述柱状底电极与所述支撑结构之间，并直接接触所述第一支撑层、所述第二支撑层与所述柱状底电极的侧壁。
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