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龙图腾网获悉天津大学申请的专利全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116990885B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310767998.7，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜及制备方法是由谷建强;许祎设计研发完成，并于2023-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜及其制备方法，所述超透镜包括：全介质三明治型单元结构，所述单元结构包括：中间的熔融石英衬底和位于其两侧的高阻硅柱微结构；基于超透镜的聚焦公式及该单元结构库相位与几何参数的对应关系，确定每个位置处选取的单元结构的尺寸，将选取的单元结构放置到相应的空间位置，以此类推，构建一个完整的超透镜。本发明实现了两倍于传统单层全介质单元结构的传播相位范围，且具备了更加丰富的色散调控能力，并因此实现了与已知发明相比具有更大带宽和数值孔径且在整个频带内都保持了高聚焦效率的太赫兹消色差超透镜。

本发明授权全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜的制备方法，所述全介质三明治型太赫兹宽带消色差超透镜包括：单元结构，所述单元结构包括：中间的熔融石英衬底和位于其两侧的高阻硅柱微结构；基于超透镜的聚焦公式及单元结构库相位与几何参数的对应关系，确定每个位置处选取的单元结构的尺寸，将选取的单元结构放置到相应的空间位置，以此类推，构建一个完整的超透镜，其特征在于，所述超透镜的制备方法包括： 将两片高阻硅和一片相同大小的熔融石英，通过BCB胶进行键合，将双抛硅片在氮气烘箱中烘烤去除表面的水分和污渍； 以预设转速持续在硅片上旋转涂覆预设厚度的BCB胶，充当键合层；将涂有BCB的硅片在热板上前烘； 一片熔融石英基片夹在两片预处理过的硅片之间，将三者对准放入晶片键合机中，在最上层的硅片上面覆盖一个石墨片，在键合机内部施加压力，依次在温度梯度下键合，保持加压的条件，待操作腔室冷却后将键合好的晶片取出； 采用化学气相沉积法在硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅层作为硬质掩膜，在其上旋涂一层另一预设厚度的抗氧化层，烘烤在光刻机中进行紫外曝光，并在显影液中显影； 通过反应离子刻蚀将图案转移到SiO2硬质掩膜层，借助Bosch技术的电感耦合等离子体反应的离子刻蚀对硅进行刻蚀；用高选择性缓冲氧化刻蚀溶液去除带图案的SiO2硬质掩膜后获得目标样品的第一面； 将样品翻转，使掩模版上的对齐标与第一面已经加工出的对齐标进行位置对准，重复上述光刻、刻蚀和去除掩模流程，最终获得最终具有双面微结构的样品。

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