中国科学院半导体研究所张韵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于电子束曝光的T型栅制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117012627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210472810.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权基于电子束曝光的T型栅制备方法是由张韵;何亚伟;程哲;张连设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电子束曝光的T型栅制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电子束曝光的T型栅制备方法，包括：通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶，曝光并显影，得到栅足光刻掩模结构；在具有栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属；剥离由两层光刻胶掩模形成的栅足金属结构，获得附着于基底上的栅足；在具有栅足的基底上旋涂三层光刻胶；通过第二上层光刻胶和中层光刻胶形成用于形成栅帽的栅帽光刻掩模结构，通过第二下层光刻胶形成栅帽支撑层；在具有栅帽光刻掩模和栅帽支撑层掩模的的基底上沉积金属，获得栅帽金属结构；剥离栅帽金属结构，获得附着于基底上的完整T型栅。本发明减少了过程损伤，避免了制备T栅时足帽剂量互相影响的问题，有利于制备更短栅长的T型栅。
本发明授权基于电子束曝光的T型栅制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电子束曝光的T型栅制备方法，包括： 通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶，曝光并显影，得到栅足光刻掩模结构；所述两层光刻胶包括第一上层光刻胶和第一下层光刻胶，所述第一上层光刻胶的灵敏度低于所述第一下层光刻胶； 在具有所述栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属； 剥离由两层光刻胶形成的栅足光刻掩模结构，获得附着于所述基底上的栅足金属结构； 在具有所述栅足的所述基底上旋涂三层光刻胶；通过第二上层光刻胶和第二中层光刻胶形成栅帽光刻掩模结构，通过第二下层光刻胶形成栅帽支撑层；所述第二中层光刻胶、所述第二上层光刻胶以及所述第二下层光刻胶的灵敏度依次降低； 在具有所述栅帽光刻掩模结构和栅帽支撑层掩模的所述基底上沉积金属，获得栅帽金属结构； 剥离所述栅帽金属结构，获得附着于所述基底上的完整T型栅。
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