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龙图腾网获悉张江国家实验室申请的专利自对准深紫外光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117130227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210596447.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权自对准深紫外光刻方法是由詹其文;李儒新;胡海峰;芮光浩设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准深紫外光刻方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种自对准深紫外光刻方法，可以应用于半导体技术领域。该方法包括：制备多层结构，其中，所述多层结构包括：衬底；设置于所述衬底的第二金属层；设置于所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二光刻胶层；设置于所述第二光刻胶层远离所述衬底一侧的第一金属层；设置于所述第一金属层远离所述衬底一侧的硬掩膜层；和设置于所述硬掩膜层远离所述衬底一侧的第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层执行第一光刻工艺，得到第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案作为掩膜，在所述硬掩膜层中形成纳米光栅；以及利用所述纳米光栅对所述第二光刻胶层执行第二光刻工艺，得到第二光刻胶图案，其中，所述第二光刻胶图案的线宽小于第一光刻胶图案的线宽。

本发明授权自对准深紫外光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准深紫外光刻方法，其特征在于，包括如下步骤： 制备多层结构，其中，所述多层结构包括：衬底；设置于所述衬底的第二金属层；设置于所述第二金属层远离所述衬底一侧的第二光刻胶层；设置于所述第二光刻胶层远离所述衬底一侧的第一金属层；设置于所述第一金属层远离所述衬底一侧的硬掩膜层；和设置于所述硬掩膜层远离所述衬底一侧的第一光刻胶层； 对所述第一光刻胶层执行第一光刻工艺，得到第一光刻胶图案； 以所述第一光刻胶图案作为掩膜，在所述硬掩膜层中形成纳米光栅；以及 利用所述纳米光栅对所述第二光刻胶层执行第二光刻工艺，得到第二光刻胶图案， 其中，所述利用所述纳米光栅对所述第二光刻胶层执行第二光刻工艺，获得第二光刻胶图案，具体包括： 利用深紫外波段的入射光照射所述纳米光栅和表面等离子体波导，其中，所述表面等离子体波导包括所述第一金属层、所述第二光刻胶层和所述第二金属层； 所述纳米光栅将所述深紫外波段的入射光进行衍射，以得到衍射级； 所述衍射级在所述表面等离子体波导中激发形成表面等离子体波导模式； 基于所述表面等离子体波导模式对所述第二光刻胶层进行表面等离子体干涉曝光；以及 对所述第二光刻胶层显影，得到第二光刻胶图案，其中，所述第二光刻胶图案的线宽小于第一光刻胶图案的线宽。

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