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龙图腾网获悉深圳市矩阵多元科技有限公司申请的专利抽真空方法及溅射镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311049436.5，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权抽真空方法及溅射镀膜方法是由胡小波;张晓军;夏慧;谢明辉;冯俊杰设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本抽真空方法及溅射镀膜方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抽真空方法及溅射镀膜方法，抽真空方法包括以下步骤：将靶材安装在镀膜腔室中；使镀膜腔室与大气环境相互隔离，然后开启真空泵；将一板件传送至镀膜腔室中；将工作气体Ar通入镀膜腔室中，开启溅射电源，使镀膜腔室内形成第一电场，第一电场使得：工作气体转换为等离子体，等离子体中的离子轰击板件，板件溅射出的板件粒子与镀膜腔室中的待去除气体进行反应并生成非气态物质；消除第一电场，停止通入工作气体，继续抽高真空。本发明的抽真空方法能够缩短镀膜腔室所需要的抽真空时间。

本发明授权抽真空方法及溅射镀膜方法在权利要求书中公布了：1.溅射镀膜方法，其特征在于，包括抽真空方法，所述抽真空方法利用真空泵对镀膜设备的镀膜腔室进行抽真空，所述镀膜设备包括设置于所述镀膜腔室内的基片台，所述抽真空方法包括以下步骤： 将靶材安装在所述镀膜腔室中的背板上； 使所述镀膜腔室与大气环境相互隔离，然后开启所述真空泵对所述镀膜腔室抽真空； 将一板件传送至所述基片台上，使得所述板件与所述靶材相对设置并且间隔设置； 将工作气体通入所述镀膜腔室中； 开启溅射电源，使基片台和背板之间形成第一电场，所述第一电场使得：所述工作气体转换为等离子体，所述等离子体中的离子轰击所述板件，所述板件溅射出的板件粒子与所述镀膜腔室中的待去除气体进行反应并生成非气态物质； 消除所述第一电场，停止通入工作气体，继续让所述真空泵对所述镀膜腔室抽真空； 所述溅射镀膜方法还包括以下步骤： 将预溅射基板传送至所述基片台上，使得所述预溅射基板与所述靶材相对设置并且间隔设置； 通入所述工作气体并使所述基片台和所述靶材之间形成第二电场，所述第二电场使附着在所述靶材的工作面的所述板件粒子溅射至所述预溅射基板，所述工作面为所述靶材朝向所述预溅射基板的一侧表面； 在附着于所述工作面的所述板件粒子被完全去除之后，将所述预溅射基板送出所述镀膜腔室并将生产用基板传送至所述镀膜腔室中，使得所述生产用基板与所述靶材相对设置并且间隔设置； 再次使所述基片台和所述靶材之间形成所述第二电场，从而对所述生产用基板进行溅射镀膜。

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