浙江理工大学郭道友获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江理工大学申请的专利一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310019040.X，技术领域涉及：C30B29/10；该发明授权一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法是由郭道友;贺怀乐;胡海争;吴超;王顺利;朱羽晨;王宇超;马超群设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源，以氧气作为氧源，以氮气为氮源，以氩气作为运输气体，进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学气相沉积系统PECVD通过优化后生长参数来制备GaON外延膜，该方法能够借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，进而实现薄膜材料生长。由于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能，因而显著降低反应温度和提高薄膜沉积的效率和质量，经本方法制备的GaON外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。
本发明授权一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1将金属镓源和清洗、吹干后的衬底放入反应舟内，反应舟放在石英反应管内； 步骤2封闭石英反应管，打开真空泵对石英管抽真空；当石英管真空度至1Pa以下，打开混气罐阀门，通入惰性气体氩气作为运输载气； 步骤3加热石英管内的反应舟和衬底；当温度升至设置温度后，打开氧气和氮气阀门，调节氧气和氮气流量，让氧气和氮气通入石英管内参与反应； 步骤4打开射频电源，设置射频功率和生长时间，在衬底上沉积GaON薄膜，完成制备； 所述的镓源为金属镓颗粒，纯度为99.999%，氧气气流量范围为1~100sccm，氮气气流量范围为1~100sccm，氩气气流流量范围10~100sccm； 衬底为0001面的蓝宝石衬底； 薄膜的沉积温度在700℃～1000℃； 射频功率在150W～300W。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江理工大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市江干区杭州经济开发区白杨街道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励