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龙图腾网获悉中山大学·深圳;中山大学;深圳市康源半导体有限公司申请的专利一种超低功耗高性能的LDO电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117608353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311753765.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种超低功耗高性能的LDO电路及其控制方法是由段权珍;翁武雄;黄胜明;张天珩;徐建明;幸新鹏设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低功耗高性能的LDO电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超低功耗高性能的LDO电路及其控制方法，包括LDO核心电路、带隙基准电路、RC串联电路和静态电流检测电路，所述带隙基准电路、静态电流检测电路分别与LDO核心电路连接，在静态电流检测电路中，当检测到的电压小于预设第一电压时，使基准电压采样并保存于保持电容，令LDO核心电路处于非工作状态，恒定电流源放电，经过预设时间后，保持电容上的电压降低至小于预设第二参考电压，LDO核心电路进入工作状态，对保持电容进行充电，电压恢复后，LDO核心电路进入非工作状态。本发明通过静态电流检测电路，在未发现有负载电路的情况下，使电路进入休眠工作状态，进而实现节能的工作目标。本发明可广泛应用于LDO电路领域。

本发明授权一种超低功耗高性能的LDO电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于，包括LDO核心电路、带隙基准电路、RC串联电路和静态电流检测电路，所述带隙基准电路、静态电流检测电路分别与LDO核心电路连接，其中： 所述静态电流检测电路包括第一比较器、第二比较器、感知MOS管、逻辑控制信号模块、保持电容、感知电阻、第一恒定电流源、第一开关和第二开关，所述第一比较器的正输入端与第一电压端连接，所述第一比较器的负输入端、感知电阻的第一端和感知MOS管的漏极相连，所述第一比较器的输出端与逻辑控制模块的第一端连接，所述第一开关的第一端与第一电压端连接，所述第一开关的第二端、第二比较器的正输入端、第二开关的第一端和保持电容的第一端相连，所述第二比较器的负输入端与第二电压端连接，所述第二比较器的输出端与逻辑控制信号模块的第二端连接，所述逻辑控制信号模块的输出端与LDO核心电路连接，所述第二开关的第二端与第一电流恒定电流源的第一端连接，所述第一恒定电流源的第二端、保持电容的第二端和感知电阻的第二端相连并接地。

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