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龙图腾网获悉苏州磁亿电子科技有限公司申请的专利一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119337677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411457471.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法是由胡智勇;牛锋刚设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法，包括如下步骤：S1、建立永磁体的仿真模型并设置仿真边界；S2、给永磁体赋予材质特性参数并分配仿真参数；S3、设置求解参数、自动网格剖分，进行静态磁场仿真后计算得到磁通密度Bd和磁场强度Hd的数值；S4、按永磁体磁化方向最大尺寸L与垂直于磁化方向上最大尺寸T的比值，选取对应的常数k；S5、通过公式：计算出磁导系数。本发明通过建立永磁体的仿真模型，给永磁体赋予材质特性参数并分配仿真参数，然后计算得到磁通密度Bd和磁场强度Hd的数值，再根据永磁体磁化方向最大尺寸L与垂直于磁化方向上最大尺寸T的比值，选取对应的常数k后通过得出磁导系数，计算方便精确高效。

本发明授权一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有限元仿真的永磁体的磁导系数计算方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、建立永磁体的仿真模型并设置仿真边界； S2、给永磁体赋予材质特性参数并分配仿真参数； S3、设置求解参数、自动网格剖分，进行静态磁场仿真后使用编辑的场计算器命令计算得到磁通密度Bd和磁场强度Hd的数值； S4、按永磁体磁化方向最大尺寸L与垂直于磁化方向上最大尺寸T的比值，选取对应的常数k；所述常数k根据所述比值LT，从以下对应关系表中选取：当LT0.1时，K=0.65；0.1≤LT0.2时，K=0.83；0.2≤LT0.3时，K=1.03；0.3≤LT0.4时，K=1.12；0.4≤LT0.5时，K=1.25；0.5≤LT0.6时，K=1.3；0.6≤LT0.7时，K=1.39；0.7≤LT0.8时，K=1.46；0.8≤LT0.9时，K=1.53；0.9≤LT1.0时，K=1.60； S5、将Bd、Hd、k代入如下公式计算得出永磁体的磁导系数Pc： 。

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