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龙图腾网获悉湖北通格微电路科技有限公司申请的专利一种玻璃基板的通孔方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119390356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411527038.4，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权一种玻璃基板的通孔方法是由张迅;易伟华;刘松林;徐艳勇;陈玉泉设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种玻璃基板的通孔方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种玻璃基板的通孔方法，包括以下步骤：a将玻璃基板进行双面磁控溅射镀耐酸保护层；b将双面镀膜基板的双面依次进行光刻胶涂布、曝光和显影，形成mark标和预设孔；c将经过步骤b处理的基板进行退镀成型，并去除基板表面残留的光刻胶；d将步骤c处理的基板进行双面激光打孔处理；e将经过步骤d处理的基板进行蚀刻，使基板的激光打孔处形成所需规格的通孔；f将经过步骤e处理的基板进行脱膜褪镀。本发明利用双面镀层的保护，后续在通孔过程中玻璃不会减薄，保证基板厚度在通孔后的可靠性；且镀层还可以阻止玻璃在蚀刻过程中的凹点及划伤的新增与放大，提高了通孔器件的表观品质。

本发明授权一种玻璃基板的通孔方法在权利要求书中公布了：1.一种玻璃基板的通孔方法，其特征在于，包括以下步骤： a将玻璃基板进行双面磁控溅射镀耐酸保护层，得到双面镀膜基板； 步骤a中，所述耐酸保护层的成分为镍铜合金或镍铬钼合金； b将所述双面镀膜基板的双面依次进行光刻胶涂布、曝光和显影，形成mark标和预设孔，基板两侧表面形成的mark标和预设孔相互对应； c将经过步骤b处理的基板进行退镀成型，使基板预设孔内的镀层蚀刻去除，显现出玻璃基底；随后去除基板表面残留的光刻胶； 步骤c中，所述退镀成型的方式为将经过步骤b处理的基板浸泡在镀层蚀刻液中； d将步骤c处理得到的蚀刻出玻璃基底孔形的基板进行双面激光打孔处理，打孔位置位于所述玻璃基底孔形内； e将经过步骤d处理的基板进行蚀刻，使基板的激光打孔处形成所需规格的通孔； f将经过步骤e处理的基板进行脱膜褪镀，使基板表面残留的镀层去除； 步骤b中，所述光刻胶具有不被步骤c退镀成型所用镀层蚀刻液腐蚀的性能。

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