买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西南交通大学申请的专利一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113234.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统是由宋文胜;胡廷文;陈健;唐涛;岳豪;谢东;刘国友设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种电压过冲尖峰定量抑制的SiCMOSFET驱动方法及系统，方法步骤为：将SiCMOSFET漏源电压降低到后级电路能检测的电压范围；检测降级后漏源电压的输出，保持漏源电压的过冲峰值并输出；对输出的漏源电压过冲峰值进行采样；根据漏源电压识别器件关断的电流下降阶段，输出脉冲信号；运行PI控制模块得到压控电流源输入端的压控参考电压；压控电流源以步骤S5中的压控参考电压作为输入，以脉冲信号触发压控电流源进行输出，向SiCMOSFET栅极注入额外的驱动电流，调控电压过冲尖峰。本申请实现了电压过冲峰值的闭环控制，定量地抑制了电压过冲峰值，提高了可靠性和效率。

本发明授权一种电压过冲尖峰定量抑制的SiC MOSFET驱动方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电压过冲尖峰定量抑制的SiCMOSFET驱动方法，其特征在于，SiCMOSFET的栅极与压控电流源输出端连接，方法具体步骤为： S1：将SiCMOSFET漏源电压降低到后级电路能检测的电压范围； S2：检测降级后漏源电压的输出，保持漏源电压的过冲峰值并输出； S3：对步骤S2中输出的漏源电压过冲峰值进行采样； S4：根据漏源电压识别器件关断的电流下降阶段，输出脉冲信号； S5：运行PI控制模块得到压控电流源输入端的压控参考电压； S6：压控电流源以步骤S5中的压控参考电压作为输入，以脉冲信号触发压控电流源进行输出，向SiCMOSFET栅极注入额外的驱动电流，调控电压过冲尖峰； 步骤S5中具体步骤为： S5.1：以步骤S3中采样的SiCMOSFET关断电压过冲峰值为PI控制模块的反馈输入； S5.2：将PI控制模块的反馈输入与PI控制模块的过冲峰值预设上限值进行比较，每一次开关周期执行一次PI控制算法运算； S5.3：将PI控制模块的计算值以电压形式输出，输出压控参考电压； 步骤S6中调控电压过冲尖峰的具体方法为： 在SiCMOSFET关断漏极电流下降时，脉冲信号控制压控参考电压输入到压控电流源，压控电流源的输出电流注入SiCMOSFET栅极，调节SiCMOSFET关断电压过冲峰值，结合步骤S5对SiCMOSFET关断电压过冲峰值进行闭环调控。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西南交通大学，其通讯地址为：611756 四川省成都市郫都区犀安路999号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。