西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学冯欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510111003.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法是由冯欣;宋苏文;周弘;任泽阳;张苇杭;董鹏飞;吴银河;刘先河;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法，主要解决现有技术难以实现高性能p型二维晶体管的问题。方案包括：绝缘衬底，二维材料沟道层，位于沟道层两端上的二维材料源漏极接触部分以及分别位于两者之上的源漏电极，位于二维材料沟道层与源漏电极上的栅介质层，位于栅介质上的栅电极；通过单独制备二维晶体管中二维材料的p型重掺杂的源漏接触部分，以及二维材料的轻掺杂不掺杂的沟道层，然后将两部分对准层压，实现二维晶体管的p型分区掺杂，同时实现了厚度控制。本发明能够在保持二维晶体管栅控能力的情况下，有效提升器件导电性能。
本发明授权基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分区掺杂的高性能p型二维晶体管，其特征在于，包括：绝缘衬底1，二维材料沟道层2，位于沟道层两端之上的二维材料源极接触部分3与二维材料漏极接触部分4，以及分别位于两者之上的源电极5与漏电极6，位于二维材料沟道层与源电极、漏电极之上的栅介质层7，位于栅介质层之上的栅电极8； 所述二维材料沟道层2，采用二维半导体材料中的一种，且不进行掺杂或采用轻掺杂；该二维半导体材料至少包括二硒化钨、二硒化钼； 所述二维材料源极接触部分3与二维材料漏极接触部分4，采用材料种类均与二维材料沟道层2使用的材料一致，并进行重掺杂。
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