华南师范大学郭志友获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种采用栅下ScAlN帽层的GaN HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510189064.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种采用栅下ScAlN帽层的GaN HEMT及其制备方法是由郭志友;张元昊;孙慧卿;李渊;吕瑞鹏;刘圳;杨隆飞设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用栅下ScAlN帽层的GaN HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种采用栅下ScAlN帽层的GaNHEMT及其制备方法，包括：位于衬底上的成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、Al组分为40％～10％的渐变AlGaN势垒层；位于渐变AlGaN势垒层上的第一钝化层，第一钝化层中设置有凹槽，Sc组分为10％～30％的梯度组分ScAlN帽层设置于凹槽中，p型GaN帽层设置于梯度组分ScAlN帽层上；栅极设置于所述p型GaN帽层上；源极和漏极分别设置于栅极的两侧；该双帽层结构，对器件的阈值电压产生了显著影响，优化了器件的灵敏度和响应速度，该设置特别适用于具有渐变AlGaN势垒层结构的器件。
本发明授权一种采用栅下ScAlN帽层的GaN HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用栅下ScAlN帽层的GaNHEMT，其特征在于，包括： 位于衬底上的成核层，位于成核层上的AlGaN缓冲层，位于AlGaN缓冲层上的GaN沟道层，位于GaN沟道层上的Al组分为40%~10%的渐变AlGaN势垒层，所述Al组分沿衬底指向缓冲层的方向上逐渐增大； 位于渐变AlGaN势垒层上的第一钝化层，第一钝化层中设置有凹槽，所述凹槽暴露渐变AlGaN势垒层的部分表面，Sc组分为10%~30%的梯度组分ScAlN帽层设置于所述凹槽中，p型GaN帽层设置于所述梯度组分ScAlN帽层上； 栅极设置于所述p型GaN帽层上； 源极凹槽和漏极凹槽分别设置于栅极的两侧，沿第一钝化层的表面延伸至GaN沟道层的表面，源极设置于源极凹槽中，漏极设置于漏极凹槽中； 第二钝化层覆盖于源极、漏极、栅极和第一钝化层上； 其中，所述Sc组分沿衬底指向缓冲层的方向上依次等间隔增大。
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