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龙图腾网获悉上海芯无双仿真科技有限公司申请的专利基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120335250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519869.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统是由任谦;王昳;赵伟;修磊;陈强;方大千;潘继宏设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统在说明书摘要公布了：本发明提供基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统，涉及光刻仿真工具与物理建模技术领域，包括模型构建模块、内核可视化模块、仿真计算模块、结果评估与优化模块、模型库管理模块、实时仿真模块、误差补偿模块、仿真结果验证模块；模型构建模块，根据光刻设备中的光刻机光源波长、相干因子、投影物镜数值孔径、像差系数，以及光刻工艺的光刻胶类型、光刻分辨率要求、光刻图形特征尺寸，构建三维光刻模型，本发明中模型构建模块基于波动光学理论与量子力学理论，全面考虑光在投影物镜中的衍射、光在光刻胶表面及内部的干涉，以及光刻胶分子微观层面的物理化学过程，相较于基础物理模型，能精准模拟光在光刻设备中的复杂传播路径。

本发明授权基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统在权利要求书中公布了：1.基于物理模型的紧凑型光刻仿真系统，其特征在于：包括模型构建模块、内核可视化模块、仿真计算模块、结果评估与优化模块、模型库管理模块、实时仿真模块、误差补偿模块、仿真结果验证模块；所述模型构建模块，根据光刻设备中的光刻机光源波长、相干因子、投影物镜数值孔径、像差系数，以及光刻工艺的光刻胶类型、光刻分辨率要求、光刻图形特征尺寸，构建三维光刻模型;构建三维光刻模型时运用波动光学理论考虑光在投影物镜中的衍射及在光刻胶表面和内部的干涉，结合量子力学理论模拟光刻胶分子的电子跃迁和化学键断裂，同时借助机器学习算法利用历史光刻实验的光源参数、光刻胶特性参数、光刻图形尺寸偏差数据及对应的仿真结果，对模型进行自适应调整，提高模型对不同光刻胶类型、不同光刻图形复杂度光刻场景的适应性； 所述内核可视化模块，采用三维可视化技术展示模型内核； 所述仿真计算模块，运用物理仿真算法，对光刻过程中的光传播、光刻胶内的化学反应进行模拟计算；所述结果评估与优化模块，根据仿真结果评估光刻图形的线宽均匀性、边缘粗糙度、套刻精度，优化光刻工艺的曝光剂量和聚焦深度；所述模型库管理模块，对步进投影光刻工艺、扫描投影光刻工艺和ArF光刻机、KrF光刻机的光刻模型进行分类管理和存储，方便用户快速调用和更新；所述实时仿真模块，具备实时仿真功能，可与实际光刻设备连接，实时获取设备的曝光时间、曝光强度、环境的温度、湿度并进行仿真，及时反馈仿真结果；所述误差补偿模块，引入误差补偿算法，对仿真结果中的误差进行分析和补偿，提高仿真的精度；所述仿真结果验证模块，通过与实际光刻实验的光刻图形实际尺寸测量数据、光刻胶实际溶解速率数据对比，验证仿真模型的准确性和可靠性，不断优化仿真模型。

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