通威太阳能(成都)有限公司刘旭获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510554544.0，技术领域涉及：H10F10/165；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由刘旭;王永洁设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该制备方法包括：形成包括多个子掺杂层的N型掺杂微晶硅层，多个子掺杂层包括目标子掺杂微晶硅层，且形成目标子掺杂微晶硅层的工艺气体包括SiH4、N2O、PH3和H2，工艺气体压力范围为8Torr～12Torr，启辉功率范围为10000W～15000W，SiH4、N2O、PH3和H2的流量比范围为1:0.5:4:200~1:2:7:250，启辉时间范围为25s~55s。改善异质结太阳能电池的UV衰减的同时，控制异质结太阳能电池的短路电流损失和转换效率损失在较低的范围内。
本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：N型半导体衬底、第一钝化层、第二钝化层、N型掺杂微晶硅层、P型掺杂微晶硅层、第一透明导电层、第二透明导电层、第一电极和第二电极，所述N型半导体衬底包括相对的受光面和背光面； 所述第一钝化层、所述N型掺杂微晶硅层、所述第一透明导电层和所述第一电极依次层叠位于所述N型半导体衬底的受光面，其中，所述N型掺杂微晶硅层包括多个子掺杂层，所述多个子掺杂层包括目标子掺杂微晶硅层，且所述目标子掺杂微晶硅层的晶化率范围为10%~30%，厚度范围为8nm~12nm，消光系数范围为0.25~0.45； 所述第二钝化层、所述P型掺杂微晶硅层、所述第二透明导电层和所述第二电极依次层叠位于所述N型半导体衬底的背光面。
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