四川江化微电子材料有限公司李瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉四川江化微电子材料有限公司申请的专利一种盐酸型P-ITO蚀刻液及其制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120505102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510633152.3，技术领域涉及：C09K13/06；该发明授权一种盐酸型P-ITO蚀刻液及其制备方法及其应用是由李瑞;张秋莲;邵勇;彭聪;姜丽娜;吕行行设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种盐酸型P-ITO蚀刻液及其制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种盐酸型P‑ITO蚀刻液及其制备方法及其应用，涉及液晶面板蚀刻液技术领域，盐酸型P‑ITO蚀刻液包括以下质量百分数的成分：20～24％第一无机酸水溶液、5～7％第二无机酸、0.1～0.5％金属缓蚀剂、0.001～0.1％无机氯化物，余量为水；第一无机酸至少包括盐酸；所述第二无机酸至少包括醋酸；第一无机酸水溶液中第一无机酸的浓度≥40wt％。成本较低，蚀刻反应温和，蚀刻均匀，无明显边缘锯齿，无ITO结晶残留，不损伤金属Mo，不含磷等污染元素，绿色环保。
本发明授权一种盐酸型P-ITO蚀刻液及其制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种盐酸型P-ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分数的成分： 20~24%第一无机酸水溶液、5~7%第二无机酸、0.1~0.5%金属缓蚀剂、0.001~0.1%无机氯化物，余量为水； 所述第一无机酸为盐酸；所述第二无机酸为醋酸； 所述第一无机酸水溶液中第一无机酸的浓度≥40wt%； 所述无机氯化物为氯化铁、氯化铵、氯化钾中至少一种； 所述盐酸型P-ITO蚀刻液的制备方法包括： 将一部分第一无机酸水溶液加入水中稀释，控制温度≤40℃； 将稀释后的第一无机酸溶液与金属缓蚀剂混合，搅拌得到混合液1； 将剩余第一无机酸水溶液加入水中稀释，控制温度≤40℃； 将稀释后的第一无机酸溶液与混合液1混合均匀，后加入第二无机酸混合均匀，最后加入无机氯化物混合均匀即可。
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