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龙图腾网获悉武汉云岭光电股份有限公司申请的专利EML激光器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120581959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510574403.5，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权EML激光器及其制作方法是由郭娟;李鸿建;陈志标设计研发完成，并于2025-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本EML激光器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种EML激光器的制作方法，包括如下步骤：S1，对接生长DFB激光器和EAM调制器；S2，沿DFB激光器至EAM调制器的方向，采用条状的掩膜材料盖在DFB激光器和EAM调制器上；S3，蚀刻未被掩膜材料保护的DFB激光器和EAM调制器；S4，对EAM调制器进行掩膜保护，蚀刻DFB激光器；S5，在刻蚀完后的DFB激光器所在的区域生长掩埋异质结结构；S6，去掉所有的掩膜保护，接着开电注入窗口，制作金属，最后减薄、溅射、合金。还提供一种EML激光器。本发明一方面能够避免两种波导的套刻偏差造成出光效率差问题，另一方面，EAM调制器为脊型波导结构，可以弥补掩埋异质结结构脊宽差异大问题，提高良率产出。

本发明授权EML激光器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种EML激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，对接生长DFB激光器和EAM调制器； S2，沿所述DFB激光器至所述EAM调制器的方向，采用条状的掩膜材料盖在所述DFB激光器和所述EAM调制器上； S3，蚀刻未被所述掩膜材料保护的DFB激光器和EAM调制器，得到DFB激光器的脊型波导结构和EAM调制器的脊型波导结构； S4，对EAM调制器进行掩膜保护，蚀刻所述DFB激光器，所述S4步骤具体为： 在条状的掩膜材料上二次生长掩膜材料； 干法刻蚀去掉所述DFB激光器上的二次生长的掩膜材料，由于干法刻蚀的方向性，脊侧壁和侧壁底部两边二次生长的掩膜材料未去掉； 在条状的掩膜材料和二次生长的掩膜材料的保护下，干法和湿法相结合蚀刻所述DFB激光器所在区域，其中EAM调制器区有条状的掩膜材料和二次生长的掩膜材料做掩膜不被刻蚀； S5，在刻蚀完后的所述DFB激光器所在的区域以条状的掩膜材料和二次生长的掩膜材料为掩膜生长掩埋异质结结构，以在所述DFB激光器所在的区域得到掩埋异质结结构和脊型波导结构的混合波导结构，其中EAM调制器区有条状的掩膜材料和二次生长的掩膜材料做掩膜不进行材料生长； S6，去掉所有的掩膜保护，接着开电注入窗口，制作金属，最后减薄、溅射、合金。

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