买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江德奥半导体科技有限公司申请的专利一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120696196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510908736.7，技术领域涉及：B09B3/70；该发明授权一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法是由刘少晗;严正强;马原原设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法，包括以下步骤：步骤一，游离碳氧化，在氧化气氛中对游离碳进行氧化处理，生成气态二氧化碳；步骤二，结块定向氧化，通过定向通氧结合物理震荡使碳化硅结块氧化为氧化硅粉末；步骤三，保温层再生，外部定向通氧氧化保温层微孔内参与碳化硅并生成氧化硅；步骤四，废料分离提纯，对回收粉体进行粒度分级，通过电选与酸洗，获得高纯碳化硅粉与氧化硅粉；步骤五，原料再合成，将回收的碳化硅粉料进行不同比例的参杂，将其按照工艺比例参杂进未混合的硅粉和碳粉中进行混料，在碳化硅原料合成路中进行二次合成。解决了生长炉内部不易清理，废料回收率低的技术问题。

本发明授权一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅长晶后剩余废料的回收方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，游离碳氧化，在氧化气氛中对游离碳进行氧化处理，生成气态二氧化碳； 步骤二，结块定向氧化，通过定向通氧结合物理震荡使碳化硅结块氧化为氧化硅粉末； 步骤三，保温层再生，外部定向通氧氧化保温层微孔内渗入碳化硅并生成氧化硅； 步骤四，废料分离提纯，对回收粉体进行粒度分级，并通过电选分离与弱酸洗涤，获得高纯碳化硅粉与氧化硅粉； 步骤五，原料再合成，将回收的碳化硅粉料进行不同比例的掺杂，将其按照工艺比例掺杂进未混合的硅粉和碳粉中进行混料，在碳化硅原料合成路中进行二次合成； 所述结块定向氧化步骤，包括以下步骤： A.坩埚升温至1100-1200℃保温15min； B.喷氧口移动贴近结块侧壁并持续多点喷氧； C.碾压表层氧化硅，促进氧化硅脱落与深层碳化硅氧化； 所述保温层再生步骤包括以下步骤： a.步骤A进行的同时，保温层内层的反射层打开，对绝热层加热； b.绝热层开孔率调整到最大，同时从保温层外层通入氧气； c.保温层空隙中的碳化硅氧化成氧化硅并进行收集； 所述步骤二涉及的氧化机构1设置在生长炉内部且用于定向控制氧气输出； 氧化机构1包括水平滑动连接在坩埚两侧的两组密封盖11、竖直滑动连接在坩埚上方的盖板12、设置在盖板12边缘的出风口13、竖直滑动连接在盖板12上的控制架14、转动连接在控制架14上的喷气环15、均匀设置在控制架14四周的多组碾轮16、均匀设置在喷漆环四周的多组滚珠17； 所述步骤三涉及的保温机构2设置在坩埚外侧且用于动态控制热辐射的汇集与逸散； 所述步骤四涉及的分离机构3设置在生长炉底部且用于对废料进行分离提纯； 所述保温机构2包括设置在坩埚外侧的反射组件21以及设置在反射组件21外侧的绝热组件22，所述反射组件21包括多组转动连接在坩埚四周的反射片211、设置在各组反射片211下部的卷轴212、收卷在卷轴212上的反射膜213、转动连接在反射片211上部的控制杆214且控制杆214上固定连接反射膜213一端； 所述绝热组件22包括固定层221、转动连接在固定层221外侧且从上到下排列的多组调整层222、竖直滑动连接在调整环外侧的升降环223、升降换内侧设置喷气口224。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江德奥半导体科技有限公司，其通讯地址为：313100 浙江省湖州市长兴县太湖街道高铁路669号浙江长兴国家大学科技园综合楼218室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。