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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510803799.6，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件是由李海岩;沈涛设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件，半导体器件具有层叠结构，包括由下至上依次设置的下电极层、阻变层、上电极层、有机介质层和掩膜层；刻蚀方法包括：刻蚀有机介质层，直至露出上电极层，形成图形化的有机介质层；依次刻蚀上电极层和阻变层，直至露出下电极层；其中，在刻蚀上电极层和阻变层的过程中，至少部分厚度的图形化的有机介质层未被刻蚀。以半导体器件为阻变存储器为例，本发明提供的半导体器件的刻蚀方法，在刻蚀上电极层和阻变层的过程中，至少部分厚度的图形化的有机介质层未被刻蚀，实现保护上电极层的厚度以提升阻变存储器的性能和可靠性。

本发明授权一种半导体器件的刻蚀方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，半导体器件具有层叠结构，所述层叠结构包括由下至上依次设置的下电极层8、阻变层7、上电极层、有机介质层3和掩膜层1；所述掩膜层1和所述有机介质层3之间设有底部抗反射层2；所述有机介质层3和所述上电极层之间设有介质抗反射层4； 所述刻蚀方法包括以下步骤： 刻蚀所述底部抗反射层2，直至露出所述有机介质层3，形成图形化的底部抗反射层21；所述底部抗反射层2的主要材料为二氧化硅；所述刻蚀所述底部抗反射层2的步骤中的工艺参数包括：第一工艺气体，所述第一工艺气体包括三氟甲烷和四氟甲烷，三氟甲烷的流量为0-200sccm，四氟甲烷的流量为0-200sccm，三氟甲烷和四氟甲烷的比例为：1.5-2.5:1，三氟甲烷能够在所述图形化的底部抗反射层21的侧壁形成聚合物；或，所述第一工艺气体包括二氟甲烷和四氟甲烷，二氟甲烷流量为0-200sccm，四氟甲烷的流量为0-200sccm，二氟甲烷和四氟甲烷的比例为：0.8-1.5:1，二氟甲烷能够在所述图形化的底部抗反射层21的侧壁形成聚合物；腔室压力为3-10mtoor；上电极功率为500-1000W；下电极功率为50-200W；卡盘温度为30-40℃； 刻蚀所述有机介质层3，直至露出所述上电极层，形成图形化的有机介质层31；其中，所述有机介质层3的主要材料为有机旋涂碳；所述刻蚀所述有机介质层3的步骤中的工艺参数包括：第二工艺气体，所述第二工艺气体包括氧气、溴化氢和惰性气体，氧气的流量为20-200sccm，溴化氢的流量为0-100sccm，惰性气体的流量为0-200sccm，氧气、溴化氢和惰性气体的比例为：1：0.5-1.0:1，溴化氢能够在所述图形化的有机介质层31的侧壁形成聚合物；腔室压力为3-15mToor；上电极功率为200-800W；下电极功率为50-200W；卡盘温度为30-40℃； 依次刻蚀所述上电极层和所述阻变层7，直至露出所述下电极层8；其中，在刻蚀所述上电极层和所述阻变层7的过程中，至少部分厚度的所述图形化的有机介质层31未被刻蚀； 去除剩余厚度的所述图形化的有机介质层31，直至露出所述图形化的介质抗反射层41；其中，所述去除剩余厚度的所述图形化的有机介质层31的步骤中的工艺参数包括：氧气，所述氧气的流量介于300-400sccm之间；腔室压力为10-20mToor；上电极功率为1000-1500W；下电极功率为80-100W；卡盘温度为30-40℃。

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