北京集成电路装备创新中心有限公司葛鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利深硅刻蚀方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812803.5，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权深硅刻蚀方法及半导体工艺设备是由葛鹏飞;桑爱书设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本深硅刻蚀方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括循环步骤，循环步骤包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的氧化步，其中，去除步所采用的工艺气体包括碳氟类气体和含氧气体，且碳氟类气体的碳氟比小于12；去除步的下电极功率大于0且小于50W。该深硅刻蚀方法通过对去除步中工艺气体和下电极功率的配合，使得去除步刻蚀过程中，工艺气体能够全面有效清除掩膜层顶部、侧壁以及沟槽内壁的副产物，同时有效减小对隔离槽头部区域硅侧壁的过度侵蚀，从而提高隔离槽及有源区的形貌精度，进而提高产品良率。
本发明授权深硅刻蚀方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括循环步骤，所述循环步骤包括用于在硅衬底20刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在所述沟槽的侧壁形成保护层的氧化步，其中，所述去除步所采用的工艺气体包括碳氟类气体和含氧气体，且所述碳氟类气体的碳氟比小于12；所述去除步的下电极功率大于0且小于50W，且所述去除步中，所述碳氟类气体的碳氟比与所述下电极功率的大小呈正相关。
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