北京集成电路装备创新中心有限公司吴志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种金属硬掩膜层的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120767202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764198.9，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权一种金属硬掩膜层的刻蚀方法是由吴志刚;秦凡凯设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属硬掩膜层的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属硬掩膜层的刻蚀方法，该方法包括：提供预设基底；其中，预设基底包括自上向下依次形成的图案化后的光阻层、抗反射层和金属硬掩膜层，抗反射层包括有机抗反射层；重融步骤，向腔室中通入含氩气体刻蚀光阻层使光阻层进行重融；修复步骤，向腔室中通入光阻层的修复气体对光阻层的边缘形貌进行修饰；有机抗反射层刻蚀步，控制射频电源的功率施加方式为脉冲模式，向腔室中通入含氟气体，以图案化后的光阻层为掩膜对有机抗反射层进行刻蚀，直至显露出下一膜层；硬掩膜刻蚀步，向腔室中通入含氯气体刻蚀暴露出的金属硬掩膜层，直至显露出下一膜层。本发明可以有效改善金属硬掩模刻蚀后的线宽粗糙度，提升了芯片的稳定性。
本发明授权一种金属硬掩膜层的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种金属硬掩膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供预设基底；其中，所述预设基底包括自上向下依次形成的图案化后的光阻层、抗反射层和金属硬掩膜层，所述抗反射层包括有机抗反射层； 重融步骤，向腔室中通入含氩气体刻蚀所述光阻层使所述光阻层进行重融；其中，所述重融步骤中上电极功率的取值范围为：200W~400W，下电极功率设置为零； 修复步骤，向所述腔室中通入所述光阻层的修复气体对所述光阻层的边缘形貌进行修饰；其中，所述修复气体包括含氢气体，所述修复步骤中下电极功率设置为零； 有机抗反射层刻蚀步骤，控制射频电源的功率施加方式为脉冲模式，向所述腔室中通入含氟气体，以所述图案化后的光阻层为掩膜对所述有机抗反射层进行刻蚀，直至显露出下一膜层； 硬掩膜刻蚀步骤，向所述腔室中通入含氯气体刻蚀暴露出的所述金属硬掩膜层，直至显露出下一膜层。
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