北京集成电路装备创新中心有限公司赵书琴获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件硬掩膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510829003.4，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种半导体器件硬掩膜的制备方法是由赵书琴;罗永坚;高铭达;田城;袁娜娜;郑砺寒设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件硬掩膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件硬掩膜的制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：提供层叠结构，层叠结构包括自下而上依次层叠设置的磁性隧道结膜层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，其中，第一硬掩膜层为氮化金属材料；主刻蚀步，以图形化的第二硬掩膜层为掩膜层，刻蚀第一硬掩膜层使其图案化，其中，工艺气体包括含氯气体和含硼气体。该制备方法能够提高刻蚀形成的第二图案开口的陡直度和精度，并确保硬掩膜的有效高度，从而保证目标图案传递至磁性隧道结膜层的精度，提高MTJ的形貌精度，并有利于MTJ的进一步微缩，提高其集成度。
本发明授权一种半导体器件硬掩膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件硬掩膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供层叠结构10，所述层叠结构10包括自下而上依次层叠设置的磁性隧道结膜层100、第一硬掩膜层300和第二硬掩膜层400，其中，所述第一硬掩膜层300的材料为TaN或TiN； 主刻蚀步，以图形化的第二硬掩膜层400为掩膜层，刻蚀所述第一硬掩膜层300使其图案化，且形成的第二图案开口310到达所述第一硬掩膜层300的底端；其中，工艺气体包括含氯气体和含硼气体，所述含氯气体包括Cl2，所述含硼气体包括BCl3，BCl3和Cl2的流量比为1:10~1:1，刻蚀过程中，产生气态的副产物和单一的BN沉积物，且产生的气态副产物能够被抽出，BN沉积物在所述第二图案开口310的侧壁形成厚度能够保持动态平衡的钝化层。
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