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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利晶圆的前量检测方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120809607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510861258.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权晶圆的前量检测方法及半导体工艺设备是由李嘉;刘晓靖设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的前量检测方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了晶圆的前量检测方法及半导体工艺设备；其中，在晶圆的前量检测方法中，首先获取晶圆的特征向量集；然后将所述特征向量集输入至预先训练好的预测模型，以使所述预测模型根据所述特征向量集输出预测信息集；根据所述预测信息集生成所述晶圆的全局特征向量，其中，所述全局特征向量包括：膜厚预测均值、变异系数、中心对边缘比、方位不均匀性参数和异常点系数；最后根据所述全局特征向量和预设特征阈值生成所述晶圆的前量检测结果，从而实现了晶圆快速无损的前量检测，避免了由于晶圆异常导致后续工艺错误运行的情形，进而提升了工艺稳定性。

本发明授权晶圆的前量检测方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的前量检测方法，用于晶圆在进入CMP工艺之前，对上一工艺完成后的晶圆进行异常检测；其特征在于，所述方法包括： 获取晶圆的特征向量集；其中，所述特征向量集包括晶圆上多个采样点分别对应的特征向量，每个所述特征向量根据对应的采样点的检测信号确定，包括以下至少之一：时域特征参数、频域特征参数和统计特征参数； 将所述特征向量集输入至预先训练好的预测模型，以使所述预测模型根据所述特征向量集输出预测信息集；其中，所述预测信息集包括多个所述采样点分别对应的预测信息，所述预测信息包括膜厚预测值和不确定度； 根据所述预测信息集生成所述晶圆的全局特征向量，其中，所述全局特征向量包括：膜厚预测均值、变异系数、中心对边缘比、方位不均匀性参数和异常点系数； 根据所述全局特征向量和预设特征阈值生成所述晶圆的前量检测结果；其中，所述前量检测结果包括：前量检测通过结果、前量检测不通过结果和前量检测有条件通过结果；所述预设特征阈值包括：预设目标膜厚、预设误差、预设变异系数阈值、预设中心对边缘比阈值、预设方位不均匀性阈值和预设异常点系数阈值； 根据所述预测信息集生成所述晶圆的全局特征向量的步骤，包括：根据所述采样点的预测信息确定多个有效采样点；根据多个所述有效采样点的膜厚预测值生成所述全局特征向量；其中，多个所述有效采样点包括位于所述晶圆圆心处的第一有效采样点和位于所述晶圆边缘处的多个第二有效采样点；根据多个所述有效采样点的膜厚预测值计算得到所述膜厚预测均值和膜厚预测标准差，并将所述膜厚预测标准差和所述膜厚预测均值的比值作为所述变异系数；根据多个所述第二有效采样点的膜厚预测值确定多个所述第二有效采样点对应的膜厚预测均值和膜厚预测标准差，将所述第一有效采样点的膜厚预测值和多个所述第二有效采样点的膜厚预测均值的比值作为所述中心对边缘比；计算多个所述第二有效采样点的膜厚预测均值和所述第一有效采样点的膜厚预测值之间的差值，根据差值和多个所述第二有效采样点的平均半径确定径向梯度，以及，将多个所述第二有效采样点的膜厚预测标准差和多个所述第二有效采样点对应的膜厚预测均值的比值作为所述方位不均匀性参数；确定多个所述有效采样点中的异常采样点，并将异常采样点数和有效采样点数的比值作为所述异常点系数。

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