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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511266292.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制备方法是由余开庆;曾祥;相奇;彭天智;李恬恬设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，半导体器件中，第一导电类型第一源区的顶面齐平于衬底顶面且外表面位于衬底内；第二导电类型第一阱环，包覆第一源区的外表面，且经由衬底顶面嵌入衬底内；第二导电类型半导体柱，经由衬底顶面沿朝向衬底的方向贯穿第一源区、第一阱环；间隔的第一栅结构、第二栅结构，覆盖第一阱环顶面、第一源区顶面，第一栅结构、半导体柱、第二栅结构沿平行于衬底顶面的第一方向依次分布。至少能够提高MOS沟道密度，降低MOS器件正向导通时的阻抗、功率损耗，提高抗浪涌能力。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型第一源区，顶面齐平于衬底顶面且外表面位于所述衬底内； 第二导电类型第一阱环，包覆所述第一源区的外表面，且经由所述衬底顶面嵌入所述衬底内； 第二导电类型半导体柱，经由所述衬底顶面沿朝向所述衬底的方向贯穿所述第一源区、所述第一阱环；以及 覆盖所述第一阱环顶面、所述第一源区顶面的间隔的第一栅结构、第二栅结构； 所述第一栅结构、所述半导体柱、所述第二栅结构沿平行于所述衬底顶面的第一方向依次分布； VDMOS结构，位于所述第二栅结构、所述第一栅结构远离所述半导体柱的一侧，沿所述第一方向间隔排列；所述VDMOS结构包括四个栅结构，以及相应位于栅结构下方的阱环和源区； 多个导电插塞，部分导电插塞与正下方的衬底用于形成肖特基结构； 所述半导体柱与下方衬底形成PN结构；所述半导体器件的最小可重复单元包括一个所述PN结构，以及至少两个所述VDMOS和至少四个所述肖特基结构；所述最小可重复单元的MOS沟道、肖特基结构、PN结构的比例为X:Y:1。

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