清华大学郑纪元获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利雪崩光电探测器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120813072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510823336.6,技术领域涉及:H10F30/225;该发明授权雪崩光电探测器是由郑纪元;刘北辰;汪莱;罗毅设计研发完成,并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩光电探测器在说明书摘要公布了:本申请涉及一种雪崩光电探测器。所述雪崩光电探测器包括:至少一个雪崩光电探测单元;雪崩光电探测单元包括N型掺杂区、P型掺杂区、第一本征区、第二本征区和第三本征区;N型掺杂区、本征区和P型掺杂区沿第一方向依次设置;第一本征区、第二本征区和第三本征区沿第二方向依次设置;第二本征区在第一方向上的长度分别小于第一本征区和第三本征区在第一方向上的长度,以使N型掺杂区和P型掺杂区形成对指结构,能够实现单极离化,尽可能的使从电场中获得的全部能量用于碰撞离化,同时使空穴能够维持在低电场区中进行漂移,从而使该雪崩光电探测器实现低电压工作并保持高灵敏度的优势。
本发明授权雪崩光电探测器在权利要求书中公布了:1.一种雪崩光电探测器,其特征在于,所述雪崩光电探测器包括:至少一个雪崩光电探测单元;所述雪崩光电探测单元包括N型掺杂区、P型掺杂区和本征区,所述本征区包括第一本征区、第二本征区和第三本征区; 所述N型掺杂区、所述本征区和所述P型掺杂区沿第一方向依次设置; 所述第一本征区、所述第二本征区和所述第三本征区沿第二方向依次设置;所述第一方向与所述第二方向垂直; 所述第二本征区在所述第一方向上的长度小于所述第一本征区在所述第一方向上的长度,且,小于所述第三本征区在所述第一方向上的长度,以使所述N型掺杂区和所述P型掺杂区形成对指结构; 其中,所述第一本征区包括第一子本征区和第二子本征区,所述第三本征区包括第三子本征区和第四子本征区,所述N型掺杂区包括第一子掺杂区和第二子掺杂区,所述P型掺杂区包括第三子掺杂区和第四子掺杂区; 所述第一子本征区为在所述第一方向上所述第一本征区中间的预设长度的区域,所述第二子本征区为所述第一本征区中除所述第一子本征区之外区域,所述第一子本征区在第三方向上的长度大于所述第二子本征区在所述第三方向上的长度;所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向垂直; 所述第三子本征区为在所述第一方向上所述第三本征区中间的预设长度的区域,所述第四子本征区为所述第三本征区中除所述第三子本征区之外区域,所述第三子本征区在所述第三方向上的长度大于所述第四子本征区在所述第三方向上的长度; 所述第一子掺杂区、所述第二本征区、所述第三子掺杂区沿所述第一方向依次设置; 所述第二子掺杂区为所述N型掺杂区中除所述第一子掺杂区之外区域,且,所述第一子掺杂区在所述第三方向上的长度大于所述第二子掺杂区在所述第三方向上的长度; 所述第四子掺杂区为所述P型掺杂区中除所述第三子掺杂区之外区域,且,所述第三子掺杂区在所述第三方向上的长度大于所述第四子掺杂区在所述第三方向上的长度。
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