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龙图腾网获悉珠海横琴芯存半导体有限公司申请的专利半导体装置及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120930584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410760627.0，技术领域涉及：G06F30/394；该发明授权半导体装置及存储器是由赵越设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体装置及存储器，涉及存储器技术领域。一种半导体装置，包括：在半导体衬底上的多层布线结构，多层布线结构包括形成于不同金属层上的第一布线层和第二布线层；沿第一方向走线的N条并行数据线，每条并行数据线分割为M段；多个连接单元，用于连接M段的N条并行数据线；对于各段的N条并行数据线，以M条并行数据线为一组将各段的N条并行数据线划分为多组，多组M条并行数据线沿第二方向排布。本公开通过对数据线进行分段处理，在不增加器件、功耗的情况下，可以减小数据线间耦合效应的影响，避免数据总线上的信号发生错误翻转。

本发明授权半导体装置及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 在半导体衬底上的多层布线结构，所述多层布线结构包括形成于不同金属层上的第一布线层和第二布线层； 沿第一方向走线的N条并行数据线，每条并行数据线分割为M段； 多个连接单元，用于连接M段的N条并行数据线； 其中，对于各段的N条并行数据线，以M条并行数据线为一组将所述各段的N条并行数据线划分为多组，其中M≤N，M＞2，M、N为正整数； 对于一组M条并行数据线，所述一组M条并行数据线中的其中一条并行数据线设于所述第二布线层，所述其中一条并行数据线在第二方向的两侧均设有第一静态布线；所述一组M条并行数据线中的M-1条并行数据线位于所述第一布线层，所述M-1条并行数据线在所述第二方向的一侧设有第二静态布线，其中，所述第二方向与所述N条并行数据线走线的所述第一方向垂直； 其中，对于每组并行数据线，所述其中一条并行数据线与所述第二静态布线沿第三方向对应设置，所述M-1条并行数据线与所述其中一条并行数据线在所述第二方向一侧的第一静态布线沿所述第三方向对应设置，其中，所述第三方向与所述第二方向垂直。

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