北京集成电路装备创新中心有限公司李华鋆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120967287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510969354.5，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备是由李华鋆;荣志伟设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备；其中，在半导体工艺设备控制方法中，当沉积工艺腔室闲置时间较长时，通过对沉积工艺腔室进行靶材清理工艺，同时通过去气工艺腔室对晶圆进行预处理工艺，并在预处理工艺和靶材清理工艺均完成后，通过沉积工艺腔室对预处理后的晶圆进行沉积工艺加工，实现了沉积工艺腔室在靶材清理工艺完成后，即可有预处理后的晶圆在较低热能损耗的情况下进入沉积工艺腔室进行工艺加工，从而不仅降低了预处理后的晶圆在进行工艺加工前的温度损失，有效降低沉积工艺腔室闲置效应导致的方块电阻变化量，提高了薄膜的方块电阻的稳定性，还提高了半导体工艺设备的产能。
本发明授权半导体工艺设备控制方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备控制方法，所述半导体工艺设备包括：沉积工艺腔室和去气工艺腔室；其特征在于，所述方法包括： 当执行工艺任务时，获取所述沉积工艺腔室的闲置时长； 若所述闲置时长不小于预设时长，控制晶圆进入所述去气工艺腔室进行预处理工艺，同时控制所述沉积工艺腔室进行靶材清理工艺；当所述预处理工艺和所述靶材清理工艺均完成后，将预处理后的所述晶圆从所述去气工艺腔室移至所述沉积工艺腔室，并进行沉积工艺加工； 若所述闲置时长小于所述预设时长，控制晶圆进入所述去气工艺腔室进行预处理工艺；当所述预处理工艺完成后，将预处理后的所述晶圆从所述去气工艺腔室移至所述沉积工艺腔室，并进行沉积工艺加工。
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