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龙图腾网获悉齐鲁医药学院申请的专利DIW 3D打印氮化硅齿科陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121044910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511606957.5，技术领域涉及：C04B35/589；该发明授权DIW 3D打印氮化硅齿科陶瓷及其制备方法是由薛静;董刚;楚玮;王晶;姜春荣;孙其琛;阎非非设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本DIW 3D打印氮化硅齿科陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于齿科陶瓷材料技术领域，具体涉及DIW3D打印氮化硅齿科陶瓷及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：1向聚硅氧烷中加入交联剂和分散剂，得到混合基液；2向混合基液中加入有机溶剂，超声分散后加入氮化硅陶瓷粉体，得到打印浆料；3将打印浆料采用DIW工艺进行3D打印，得到氮化硅陶瓷坯体；4对氮化硅陶瓷坯体依次进行热固化和热裂解处理，制得DIW3D打印氮化硅齿科陶瓷。通过选用聚硅氧烷作为粘结剂，在常温环境下，可与助剂、氮化硅粉体协同形成适配DIW打印工艺的稳定浆料；后续经热固化及热裂解处理，聚硅氧烷有机相逐步转化为无机相，能够有效提升氮化硅齿科陶瓷的致密性与力学性能。

本发明授权DIW 3D打印氮化硅齿科陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种DIW3D打印氮化硅齿科陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1向聚硅氧烷中加入交联剂和分散剂，搅拌均匀，得到混合基液；所述的聚硅氧烷的制备方法步骤如下：常温常压下，将等摩尔量的四甲基环四硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷引入烧瓶中，持续搅拌直至形成均匀透明的溶液，加入卡斯特催化剂，卡斯特催化剂的加入量为四甲基环四硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷总量的1wt.%，搅拌12h，制得聚硅氧烷；所述的交联剂为过氧化二异丙苯；分散剂为KOS110； 2向混合基液中加入有机溶剂，超声分散后加入氮化硅陶瓷粉体，搅拌均匀，得到打印浆料； 3将打印浆料采用DIW工艺进行3D打印，得到氮化硅陶瓷坯体；其中，打印喷嘴直径为0.35-0.5mm，打印速度为20-35mms，打印压力为0.2-0.5KPa； 4对氮化硅陶瓷坯体依次进行热固化和热裂解处理，制得DIW3D打印氮化硅齿科陶瓷；其中，热固化的过程为：分别升温至95-105℃、115-125℃、135-145℃、155-165℃、175-185℃，并在每个温度点保温2.5-3h；热裂解的温度为1000-1100℃，热裂解的时间为1-2h。

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