深圳市星汉激光科技股份有限公司周少丰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121055151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511575032.9，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权半导体结构及其制备方法、半导体激光器是由周少丰;吕天健;丁亮;罗军波;方子勋设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其制备方法、半导体激光器，涉及激光器的领域。半导体结构包括衬底、第一波导层、谐振结构和第二波导层；第一波导层设置于衬底沿厚度方向的表面；谐振结构包括有源区、输入层和输出层，有源区、输入层和输出层设置于第一波导层背离衬底的一侧；在平行于所述衬底所在平面内，输入层和输出层位于有源区的两侧，输出层倾斜设置，在远离衬底的方向上，输出层远离输入层；第二波导层设置于谐振结构远离第一波导表面，第二波导层连接谐振结构。本申请能够减小反射光和FP腔内光场之间产生干涉效应的可能性，使得半导体结构的纵模输出更加稳定，改善了半层的导体结构的光谱纯度。
本发明授权半导体结构及其制备方法、半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，适用于FP腔激光器，包括衬底、第一波导层、谐振结构和第二波导层； 所述第一波导层设置于所述衬底沿厚度方向的表面； 所述谐振结构包括有源区、输入层和输出层，所述有源区、所述输入层和所述输出层设置于所述第一波导层背离所述衬底的一侧； 在平行于所述衬底所在平面内，所述输入层和所述输出层位于所述有源区的两侧，所述输出层倾斜设置，在远离所述衬底的方向上，所述输出层远离所述输入层； 所述第二波导层设置于所述谐振结构远离所述第一波导层的表面，所述第二波导层连接所述谐振结构； 所述输出层与所述衬底厚度方向的夹角大于或等于2度，小于或等于6度。
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