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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511657784.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率器件及其制备方法是由莫丽仪;相奇;杨先啓;郭东恺;杨文敏;黄秀洪设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件及其制备方法中，接触区可以将栅极沟槽处的高电场引到接触区下侧设置的第一柱状结构，由于第一柱状结构由源极沟槽向衬底方向延伸，电流会从接触区传至第一柱状结构，使得接触区与外延结构之间、第一柱状结构以及外延结构之间形成横向电场，该横向电场可以分散栅极沟槽下侧的纵向电场，使其均匀分布避免电场集中在栅极沟槽下侧，减小了栅极的电场强度，提高了器件的抗压性能和可靠性。此外，设置第一柱状结构可以降低漂移区的掺杂浓度，从而降低器件的导通电阻。

本发明授权功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的一侧形成外延结构，所述外延结构包括漂移区、阱区、源区以及多个第一柱状结构，所述阱区位于所述漂移区的远离所述衬底的一侧，所述源区位于所述阱区的远离所述漂移区的一侧，所述第一柱状结构位于所述漂移区内，所述漂移区与所述源区具有第一导电类型，所述第一柱状结构与所述阱区具有第二导电类型，多个所述第一柱状结构间隔排布，所述第一柱状结构由所述外延结构向所述衬底方向延伸； 于所述外延结构的远离所述衬底的一侧形成源极沟槽以及栅极沟槽，所述源极沟槽暴露出所述第一柱状结构； 对所述源极沟槽的侧壁以及底部进行第一离子注入，形成接触区，所述第一离子注入为低能离子注入，所述第一离子注入的注入角度包括0°~5°和40°~50°和-40°~-50°，所述接触区具有第二导电类型；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 于所述栅极沟槽内形成栅极； 于所述栅极的远离所述衬底的一侧形成介质层，所述介质层暴露出所述源极沟槽以及部分所述外延结构； 形成填充所述源极沟槽，且覆盖所述介质层以及暴露出的部分所述外延结构的源极，其中，所述源极的材料为金属材料。

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